田素贵
,
张禄廷
,
王桂华
,
乔瑞庆
,
金寿日
,
李铁藩
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2000.10.007
对预置AlN微粒铜基复合材料内氧化前后进行了组织形貌观察和性能测试,结果表明:在高纯氮气体介质中可实现预置微粒Cu基复合材料的内氧化,内氧化物在弥散分布的原预置微粒处形核、长大,充满于整个复合材料之中;复合材料抗压强度的提高来自于晶粒细化和第二相弥散强化的共同作用;内氧化使复合材料致密化程度提高,并增加了粒子与基体之间界面的结合强度,是改善耐磨性的主要原因.
关键词:
颗粒增强铜基复合材料
,
粉末冶金
,
内氧化
,
性能
宋贵宏
,
孟雪
,
杨明川
,
胡方
,
乔瑞庆
,
陈立佳
人工晶体学报
利用粉末冷压成型及真空烧结制备了不同Bi掺杂量的Mg-Si-Sn-Bi材料,并对制备材料组成和热电性能进行研究.结果表明,制备材料由Mg2Sn、Mg2Si和Mg2(Si,Sn)固溶体相组成.随测试温度的增加,制备材料的电阻率都急剧减小,这是典型的半导体特征.在研究范围内,掺杂Bi元素含量增加,制备材料的电阻率开始逐渐减小,但Bi掺杂量增加到一定值后,材料的电阻率又增加,而且掺杂后的材料电阻率都低于未掺杂的.制备材料的Seebeck系数是负值,表明这些材料都为n型半导体.对于掺杂Bi的材料,随着测试温度由室温增加到730 K,测得的Seebeck系数绝对值开始时轻微增加,约在240～270 K达到最大值,再随着温度增加,Seebeck系数绝对值又显著单调减小.对于掺杂Bi元素的材料,随Bi掺杂量的增加,Seebeck系数的绝对值先减少后增加,这是掺杂造成载流子浓度增加和散射过程加大相互竞争的结果.掺杂Bi的Mg-Si-Sn材料的功率因子都高于未掺杂的材料,且Bi掺杂量增加,制备材料的功率因子显著增加.对于1.29at％ Bi和1.63at％ Bi掺杂量的材料,功率因子分别在500 K和530 K存在一个极大值.
关键词:
Mg-Si-Sn材料
,
Bi掺杂
,
Seebeck系数
,
电阻率
,
真空烧结
白星亮
,
乔瑞庆
,
张翠敏
硅酸盐通报
采用氧化铝（Al2 O3）和氧化钇（Y2 O3）为烧结助剂，利用无压烧结工艺在低温下制备氮化硅陶瓷材料。利用XRD和SEM等着重研究了无压烧结氮化硅陶瓷低温阶段时的物相组成及其致密化。结果表明：当添加剂含量为10％，烧结温度高于1430℃时，α→β相转变较快；当烧结温度达到1510℃时，α相全部转变为β相。
关键词:
氮化硅
,
无压烧结
,
相变
,
致密化
