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Lateral Epitaxy Overgrown (LEO) GaN 导热系数的数值研究

于新刚 , 梁新刚

工程热物理学报

利用修正的Callaway模型对含杂质、位错、以及同位素的LEO GaN的导热系数进行了研究,计算表明同位素对LEO GaN的导热系数影响较大,而位错和杂质大于一定值时其值才对导热系数产生影响.

关键词: 导热系数 , GaN , 驰豫时间

GaxIn1-xN输运性质的温度特性的数值模拟

于新刚 , 梁新刚

工程热物理学报

利用多粒子Monte Carlo方法对含位错GaxIn1-x材料的输运性质进行了研究,计算表明材料的漂移速度随温度升高而降低,InN的漂移速度的温度特性优于GaN.GaN和InN的迁移率在相同温度范围内随温度的变化趋势不同,同时位错密度对材料迁移率的温度特性影响较大.

关键词: 温度 , 漂移速度 , 迁移率

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