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双面硅多条探测器的测试

李占奎 , 巩伟 , 谭继廉 , 魏计房 , 王柱生 , 韩励想 , 田大宇 , 于民 , 王金延 , 张录

原子核物理评论

介绍了由中国科学院近代物理研究所和北京大学微电子研究院联合研制的双面硅多条探测器的初步测试过程及测试结果。测试内容包括:探测器的电特性、能量分辨率、二维能谱、条间串扰(crosstalk)。在-25 V全耗尽偏压下,各条的反向漏电流均小于10 nA,对于5.486 MeV的α粒子,正面各条的能力分辨率在1.5%左右,条间串扰在6%左右;背面各条能量分辨率稍差,在3%左右,其条间串扰在1%左右。同时对进口的Micron BB1直流耦合单边读出的双面硅条探测器做了相同测试,并进行了性能对比。

关键词: 双面硅条探测器 , 电性能 , 能量分辨率 , 条间串扰

InGaAs/InP中离子注入和新型HPT

李国辉 , 杨茹 , 于民 , 曾一平 , 韩卫

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.031

InGaAs/InP是制作光电器件与微波器件的重要材料.离子注入InGaAs/InP做掺杂或制作高阻层是人们十分关注的研究课题.采用Fe+注入InGaAs/InP得到了电阻率升高的好结果.用Be+注入制作了新结构HPT的基区.研制成功了在1.55μm波长工作的InGaAs/InP新结构光电晶体管,在0.3μW入射光条件下,光电增益为350.

关键词: InGaAs/Inp , 离子注入 , 新结构HPT

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