王继荣
,
武壮文
,
于洪国
,
张海涛
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.002
HB-GaAs (100) 片要偏离生长截面54.7°～60°切割(〈100〉和〈111〉之间的夹角是54.7°).如果籽晶方向与〈100〉之间的夹角少于54.7°,称为反偏籽晶.而采用大于54.7°角生长的单晶切割比较困难,尤其是厚度小于300 μm的晶片.为了减少切割难度,可生长反偏籽晶的单晶,但要保证单晶能割出Φ2″(100)圆片,必须增加单晶锭的截面积.由于GaAs的热导率小,大截面单晶生长要困难得多.通过改变固液截面附近的加热元件结构,在特定方向加强了散热,延伸了温度梯度的线性范围,使用反偏籽晶,成功地生长了Φ2″ HB-GaAs单晶.和正偏籽晶单晶相比,这些单晶锭的切割破损率减少了24%,每100 mm长度出片数增加了30%.
关键词:
反偏籽晶
,
热导率
,
HB-GaAs单晶生长
于洪国
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武壮文
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王继荣
,
张海涛
功能材料
讨论了如何在水平砷化镓单晶生长过程中进行位错控制,通过控制熔区的长短,使单晶的生长过程更趋稳定,和控制生长界面的形状以及界面处的温度梯度,减少了位错的产生和增殖.采取以上措施可以在一定程度上降低位错.
关键词:
水平砷化镓
,
位错密度
,
熔区
,
温度梯度
