梁先文
,
于淑会
,
孙蓉
,
罗遂斌
,
庄志强
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2010.04.011
利用湿化学还原法制备了银(Ag)颗粒,并用正硅酸乙酯对其进行处理,通过混合和热压工艺制备了正硅酸乙酯改性的银填充聚偏二氟乙烯介电复合材料.研究了正硅酸乙酯水解得到二氧化硅(SiO2)绝缘层对该复合材料介电性能的影响.结果表明:正硅酸乙酯水解在Ag颗粒之间生成的SiO2缘层避免了Ag颗粒之间的直接接触,形成了内部电子阻隔层,使复合材料的渗流阈值增大,介质损耗保持较低的值(小于0.08,1kHz,体积分数28%),电导率为2.85×10-5S/m(1 kHz,体积分数28%).由于SiO2绝缘层具有一定的厚度(计算值为10 nm),载流子在金属Ag颗粒间及颗粒与基体间跃迁相对较难,导致了该复合材料具有较低的介电常数值(ε=38.5,1 kHz,体积分数28%).
关键词:
正硅酸乙酯
,
聚偏二氟乙烯
,
复合材料
,
嵌入式电容
,
纳米银
陈秋婷
,
于淑会
,
梁先文
,
孙蓉
,
谢盛辉
绝缘材料
利用机械球磨法制备了钛酸钡表面负载碳纳米管的复合颗粒BT-CNT，将其填充到聚偏二氟乙烯中制备了三相复合材料(BT-CNT/PVDF)，研究BT-CNT对该复合材料介电性能的影响。结果表明：随着BT-CNT质量分数的增加，复合材料的介电常数显著增加，而介质损耗及电导率仍保持在较低值，复合材料在BT-CNT质量分数为50%时未出现典型的渗流效应。介电常数的增加主要源于导电性CNT引起的界面极化，而长的CNT经机械球磨在BT表面形成较短的CNT片段，静电吸附于BT表面，难以在整个复合材料中形成导电性渗流网络。复合材料的介电常数随测试温度的升高而增大，这是由于温度升高导致更强烈的界面极化。
关键词:
BT-CNT复合颗粒
,
聚偏二氟乙烯
,
介电性能
,
渗流效应
黄良
,
朱朋莉
,
梁先文
,
于淑会
,
孙蓉
,
汪正平
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.19.003
随着埋入式电容器的发展,具有高介电性能聚合物基复合材料的研究显得尤为重要.目前,高介电聚合物基复合材料主要有两种,铁电陶瓷/聚合物复合材料和导电颗粒/聚合物复合材料.综述了这两种复合材料的特点和最新研究进展,概述了可以增强聚合物基复合材料介电性能的方法.首先针对铁电陶瓷/聚合物复合材料介电常数难以提高的缺点,指出通过高介电聚合物基体的选择、陶瓷填料含量与尺寸形貌的控制,可以有效地提高这类材料的介电常数;同时介绍了这类复合材料不同界面结构和稳固界面的重要性,重点阐述了形成化学键连接的“分子桥”结构的方法;然后针对导电颗粒/聚合物复合材料渗流阈值难以控制和介电损耗高的问题,探讨了影响渗流阈值的因素和减小介电损耗的方法;最后基于本课题组在功能性纳米填料、高介电聚合物复合材料的基础研究及应用探索方面的工作积累,对高介电聚合物基复合材料的未来发展方向做出展望.
关键词:
高介电性能
,
聚合物基体
,
复合材料
,
界面结构
,
渗流理论
赖茂柏
,
孙蓉
,
吴晓琳
,
于淑会
,
杜如虚
材料导报
石蜡作为相变材料在储能领域已成为研究热点,其中一个重要问题就是石蜡的封装.以微胶囊包覆的方式对石蜡进行封装,通过界面聚合,以甲基丙烯酸甲酯聚合包覆石蜡微乳液,得到聚甲基丙烯酸甲酯包覆石蜡的核壳结构.研究了复合相变材料的包覆过程中转速、乳化剂的添加量、引发剂的添加量及包覆温度对微胶囊颗粒大小及性能的影响,并提出了微胶囊包覆过程中的"尺寸含量关系",预测了实验平衡点.当转速为2000r/min、乳化剂添加量为4%、引发剂添加量为1%、聚合温度为70℃时,得到粒径为Iμm左右的微胶囊,材料的相变储能约为110J/g,石蜡的包覆率为50%.
关键词:
界面聚合
,
微胶囊
,
复合相变材料
寇思旺
,
于淑会
,
孙蓉
,
杨海朋
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13200
利用浓硫酸、高锰酸钾等强氧化剂制备了氧化石墨,将其与钛酸钡和环氧树脂复合,制备了三相复合材料.研究了氧化石墨的添加量对于复合材料介电性能的影响.结果发现在氧化石墨的添加量很少时,三相复合材料的介电常数显著地高于钛酸钡/环氧树脂两相复合材料,同时介电损耗仍然维持在较低的水平.钛酸钡/环氧树脂的介电常数为17.7 (20℃,1 kHz),当加入3wt％氧化石墨,介电常数增加到42.6,介电损耗为0.043.因此该三相复合材料适合用于埋入式电容器的介质材料.最后初步探讨了氧化石墨对复合材料介电性能的影响机理.
关键词:
氧化石墨
,
钛酸钡
,
环氧树脂
,
三相复合
,
介电性能
