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驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

刘金娥 , 廖燕平 , 齐小薇 , 高文涛 , 荆海 , 付国柱 , 李世伟 , 邵喜斌

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.014

a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的.针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子...

关键词: OLED , 阈值电压漂移 , N/Si , C-V , 2-a-Si:HTFT

驱动电子墨水电子纸的柔性TFT背板制造技术

杨澍 , 荆海 , 廖燕平 , 马仙梅 , 孔祥建 , 黄霞 , 付国柱 , 马凯

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.02.012

基于电子墨水技术的电子纸是目前最有竞争力的类纸媒显示器.实现电子墨水电子纸的柔性是这项显示技术的关键之一.文章分析了当前电子墨水电子纸的主要研究方向,详细介绍了基于金属柔性基板的TFT制造技术、基于固定塑料基板的以激光释放塑基电子工艺(EPLaR)为代表的TFT制造技术、以激光退火表面释放技术(SU...

关键词: 电子纸 , 电子墨水 , 薄膜晶体管 , 柔性金属基板 , 激光释放塑基电子技术 , 激光退火表面释放技术 , 有机薄膜晶体管

氢原子在Cat-CVD法制备多晶硅薄膜中的作用

邝俊峰 , 付国柱 , 高博 , 高文涛 , 黄金英 , 廖燕平 , 荆海

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.06.009

采用钨丝催化化学气相沉积(Cat-CVD)方法制备多晶硅(p-Si)薄膜,研究氢气稀释率(FR(H2)/(FR(H2)+FR(SiH4))对制备多晶硅薄膜的影响.XRD和喇曼光谱分析分别显示(111)面取向的多晶硅峰及喇曼频移为520 cm-1多晶硅峰的强度随氢气稀释率的增加而增强,由喇曼光谱计算的...

关键词: 多晶硅薄膜 , 氢原子 , 催化化学气相沉积

用金属诱导-准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜

廖燕平 , 邵喜斌 , 吴渊 , 骆文生 , 付国柱 , 荆海 , 马凯

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.02.010

提出了一种新的晶化方法--金属诱导-准分子激光晶化法(MI-ELA).该方法在制备多晶硅(p-Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p-Si.通过用XRD、Raman与SEM测试,研究了p-Si的结晶性...

关键词: 多晶硅薄膜 , 金属诱导-准分子激光晶化 , NiSi2

Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜的孕育层控制

张玉 , 荆海 , 付国柱 , 高博 , 廖燕平 , 李世伟 , 黄金英

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.01.008

采用催化化学气相沉积法(Cat-CVD)制备多晶硅(p-Si)薄膜的初期会形成一层比较厚的非晶硅(a-Si)孕育层.这层孕育层作为p-Si的前驱生长物,给p-Si的晶化提供晶核,同时这层薄膜又存在较多的缺陷,严重影响了p-Si器件的性能.文章采用p-Si的间断生长,对预先沉积的a-Si孕育层进行数分...

关键词: 催化化学气相沉积法 , 多晶硅薄膜 , 非晶硅孕育层 , 氢原子刻蚀 , 晶核 , 晶化速率

电沉积法制备固态染料敏化太阳能电池

李海洋 , 张敬波 , 魏刚 , 孙丽娜 , 林原 , 付国柱

影像科学与光化学 doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2014.06.514

本文采用一步电化学沉积的方法在导电玻璃上先后沉积了ZnO/染料复合薄膜以及CuSCN薄层,实现仅以电沉积法制备结构为ZnO/染料/CuSCN的固态染料敏化太阳能电池,电池的光电转换效率达到0.1%.在电沉积CuSCN前,脱附电沉积制备的ZnO/染料复合薄膜中的染料以形成多孔ZnO薄膜,然后通过染料再...

关键词: 电化学沉积 , ZnO/染料/CuSCN , 固态染料敏化太阳能电池 , 光电转换效率

用Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜及结构分析

张玉 , 高博 , 李世伟 , 付国柱 , 高文涛 , 荆海

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.015

以金属钨为催化热丝,采用热丝催化化学气相沉积,在300℃的玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.研究了H2稀释率、钨丝与衬底间的距离和反应室气体压力等沉积参数对制备多晶硅薄膜的影响,并通过XRD谱分析,确定了本实验系统的最佳多晶硅成膜条件:FR(SiH4)=5 mL/min,FR(H2)=70 mL/min,P...

关键词: 多晶硅薄膜 , 催化化学气相沉积 , 沉积参数 , 逐层分析 , 分步成核

Cat-CVD法制备硅薄膜及在TFT中的应用进展

刘少林 , 邹兆一 , 庞春霖 , 付国柱 , 邱法斌

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.017

目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,使其在制备高迁移率TFT的应用中受到了限制.新出现的催化化学气相淀积法(Cat-CVD)与PECVD法相比,具有淀积速率高﹑原料气体利用效率高﹑衬底温度低﹑生长的薄膜致...

关键词: 硅薄膜 , 薄膜晶体管 , 化学气相淀积法

a-Si:H-TFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计

刘金娥 , 廖燕平 , 荆海 , 张志伟 , 付国柱 , 邵喜斌

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.018

分析了a-Si:H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx:H栅绝缘层和a-Si:H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响.根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a-Si:H-TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿阈值电压漂移的方法,即...

关键词: OLED , a-Si:H-TFT , 阈值电压漂移 , 电荷注入 , 亚稳态 , 补偿方法

快速测试液晶器件扭曲角和光延迟的新方法

黄霞 , 荆海 , 付国柱 , 孔祥建

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.04.014

提出了一种测试扭曲角和光延迟的新方法.该方法属于单波长测试法,具有3个特点:利用具有特殊摩擦方向(一个基板平行摩擦,另一基板环形摩擦)的液晶盒(CH-LC)作为偏振转换器件;利用扇形可变光阑和光探测器,一次性测得偏振方向从0到任意角度连续变化的线偏光通过被测液晶盒后的光强和;采用求光强比的方法消除了...

关键词: 液晶器件 , 扭曲角 , 光延迟

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