石瑛
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付德君
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林玲
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蒋昌忠
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范湘军
功能材料
在(0001)面的蓝宝石衬底上用MOCVD法生长纤锌矿结构的GaN.GaN膜总厚度为4μm,表层为0.5μm厚的掺Mg的p型层.用90keV的Mn+离子对处于室温下的GaN进行离子注入,注入剂量为1×1015～5×1016ions/cm2.对注入的样品在N2气流中经约800℃进行快速热退火处理,时间为30～90s.样品的磁性用超导量子干涉仪(SQUID)进行分析.未注入的p型GaN薄膜是抗磁性的,而Mn+注入的GaN显现顺磁性(注入剂量为1×1015ions/cm2)和铁磁性(注入剂量为5×1015～5×1016ions/cm2).结合X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对GaN薄膜在注入和退火后的结构和形貌研究,揭示Mn+ 注入是进行GaN磁性掺杂的有效手段,在Mn+ 注入p型GaN、制备得到的(Ga,Mn)N稀磁半导体中,空穴调制铁磁性是其主要的磁性机制.
关键词:
GaN
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离子注入
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磁性
田灿鑫
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周小东
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周思华
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杨兵
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付德君
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.08.003
目的：在SiH4气氛下制备Si掺杂的TiSiN纳米复合涂层,为SiH4用于工业化TiSiN涂层生产提供依据。方法采用电弧离子镀技术,在SiH4气氛下,于单晶硅和硬质合金衬底上制备Si掺杂的TiSiN纳米复合涂层,研究SiH4流量对TiSiN涂层化学组分、微观结构、硬度和耐磨性能的影响。结果 SiH4流量对TiSiN纳米复合涂层的微观结构、硬度及摩擦系数的影响明显。随着SiH4流量的增加,TiSiN涂层由柱状晶生长的晶体结构逐渐转变为纳米晶镶嵌于非晶基体的复合结构。 Si在涂层中以Si3 N4非晶相存在,随着涂层中Si含量逐渐增加,TiN晶粒尺寸逐渐减小,Si3 N4起到细化晶粒的作用。在42 mL/min的SiH4流量下,涂层硬度高达4100HV0.025。在对磨材料为硬质合金的条件下,TiSiN涂层摩擦系数小于0.6。结论 SiH4气氛下可以制备出TiN纳米晶镶嵌于Si3N4非晶相结构的TiSiN纳米复合涂层,涂层的显微硬度较高。 SiH4可以作为Si源用于TiSiN纳米复合涂层的工业化生产。
关键词:
电弧离子镀
,
TiSiN纳米复合涂层
,
SiH4 流量
,
力学性能
,
硬度
,
摩擦系数
王世旭
,
肖仁政
,
陈义龙
,
付德君
原子核物理评论
同步辐射穆斯堡尔谱自从1985年取得突破后，经历了20多年的长足发展，已经成为穆斯堡尔谱学的一个成熟的分支。目前同步辐射穆斯堡尔谱学由两个部分构成：基于相干核共振散射机制的时域穆斯堡尔谱学和基于非相干非弹性核共振散射机制的X射线谱学。第三代同步加速器的出现促进了时域穆斯堡尔谱学的发展，测量得到穆斯堡尔激发态寿命r期间衰变计数率-9时间的关系，观测到一些有趣的现象。同步辐射穆斯堡尔谱既能做常规透射谱学研究，测量各种超精细相互作用及f1M，8sod等穆斯堡尔参数，也能利用非弹性核共振散射测量固体的声子谱，并且也能测出fL-M和8sod及力常数等，时域谱和非相干谱的测量精度都高于常规穆斯堡尔谱。
关键词:
同步辐射穆斯堡尔谱
,
时域穆斯堡尔谱
,
核共振非弹性x射线散射
田灿鑫
,
李助军
,
刘怡飞
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杨兵
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付德君
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苏峰华
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.06.023
目的 在纯N2气氛环境下,低温制备TiBN纳米复合涂层,为TiBN涂层工业化生产积累科学数据.方法 采用离子源增强阴极电弧离子镀系统,在硬质合金衬底上制备TiBN纳米复合涂层,系统研究了N2气压对TiBN涂层晶体结构、表面形貌、硬度和耐磨性能的影响.结果 N2气压对TiBN纳米复合涂层的晶体结构、表面形貌、硬度及摩擦系数的影响明显.随着N2气压的升高,TiBN涂层中的TiN晶相逐渐增多,TiB2晶相逐渐减少,为TiN晶粒和TiB2晶粒镶嵌于非晶BN基体的复合结构.在0.5 Pa气压下,涂层硬度达3150HV.对于对磨材料硬质合金而言,TiBN涂层的摩擦系数为0.4左右.结论 离子源增强电弧离子镀技术可以用于TiBN涂层的制备,制备出的TiBN涂层为纳米晶镶嵌于非晶的纳米复合涂层,涂层的显微硬度较高.在TiBN纳米复合涂层的工业化生产中,沉积N2气压不宜偏高.
关键词:
离子源增强电弧离子镀
,
TiBN涂层
,
显微硬度
,
摩擦系数
