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含氯气氛退火对CdTe薄膜性质影响的交流阻抗研究

付文博 , 刘庭良 , 何绪林 , 张静全 , 冯良桓 , 武莉莉 , 李卫 , 黎兵 , 曾广根 , 王文武

功能材料

对近空间升华制备的CdTe薄膜进行了CdCl2气氛下热处理。测量了样品在室温下的交流阻抗特性,基于恒相位角元件(CPE)等效电路拟合所测量的复阻抗谱,分析了退火工艺对CdTe薄膜的晶粒体电阻、晶界电阻、弛豫时间的影响。结果表明,随退火温度的增加,晶粒电阻增大,晶界电阻减小,弛豫时间缩短。

关键词: CdTe , 多晶薄膜 , 交流阻抗 , 晶界

衬底材料对Ti膜形貌及结构的影响

付文博 , 刘锦华 , 梁建华 , 杨本福 , 周晓松 , 程贵钧 , 王维笃

稀有金属材料与工程

使用电子束蒸发法在抛光Mo、石英和单晶硅衬底上沉积Ti薄膜,并用SPM、XRD及SEM对衬底及薄膜的表面形貌和微观结构进行了分析.结果表明:Ti膜的表面形貌和微观结构受衬底材料影响较大.抛光Mo衬底上的Ti膜表面有微小起伏,断面处发现Ti膜先在衬底形核,后以柱状颗粒的形式竖直向上生长;抛光石英衬底上的Ti膜表面平整,颗粒与界面清晰可见,在界面处有一层等轴晶;粗糙度最低的单晶硅基片上沉积的Ti膜表面反而最粗糙,通过XRD分析发现有TiSi2的峰存在.

关键词: 衬底 , 储氢薄膜 , 电子束热蒸发 , 形核 , 薄膜生长

薄膜理想台阶的制备方法研究

付文博 , 梁建华 , 王维笃 , 周晓松 , 杨本福 , 程贵均

表面技术

目的 研究台阶的形貌对台阶仪测试的影响,准确测试薄膜的厚度.方法 分析制备台阶中存在的问题,针对这些问题设计了中轴线位置带掩膜条的掩膜板,并采用该新型掩膜板,在不同衬底上制备台阶,用台阶仪对薄膜的厚度进行测定.结果 在薄膜中轴线附近做出的台阶,坡度陡峭,上下表面清晰.Mo衬底上制备出的薄膜厚度重复性较好;单晶硅衬底上制备的薄膜表面粗糙度较大;石英衬底上制备薄膜形成的台阶上下表面均较为平滑.结论 使用新型掩膜板在石英衬底上制备出理想台阶,可较为准确地测试薄膜的厚度.

关键词: 薄膜 , 膜厚 , 边缘效应 , 理想台阶 , 粗糙度

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