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高纯MgSe多晶的化学气相合成及特性研究

李辉斌 , 李焕勇 , 付泽华 , 田世俊

人工晶体学报

以高纯Mg、Se单质为原料,NH4Cl作反应促进剂,温度为999~992℃,采用化学气相输运法(CVT)成功合成出MgSe多晶.采用X射线粉末衍射仪、紫外-可见-近红外分光光度计、傅立叶变换红外光谱仪以及光致发光测试系统研究了MgSe多晶的结构和光学特性.结果表明:合成物为MgSe多晶,具有NaCl型结构,禁带宽度Eg为1.98eV,在1.6eV附近内存在与施主-受主对辐射复合发光相关的发光带.研究证明由Mg、Se单质在促进剂NH4Cl辅助下直接合成MgSe多晶是一种较好的方法.

关键词: MgSe多晶 , 化学气相运输 , 反应促进剂

Zn-Mg-Se-I2系统生长ZnMgSe单晶及其特征

付泽华 , 李焕勇 , 李辉斌

人工晶体学报

以高纯的Zn、Mg以及Se2单质为生长原料,加入高纯的碘单质作为反应输运剂,采用化学气相输运(CVT)方法成功制备了ZnMgSe单晶,并且分别采用X射线衍射、双晶衍射、紫外可见分光光度计、红外光谱仪以及光致发光(PL)技术研究了晶体的结构、结晶质量以及光学性质.结果表明,制备的单晶结晶性能良好,在500 ~ 1500 nm波长范围内的透过率接近50%,在400 ~ 4000 cm-1波长范围内的透过率达到42%,在2.0~2.6 eV范围内有三个明显的空位与杂质发光带.以Zn、Mg及Se2单质为生长原料,在输运剂I2的帮助下可以实现ZnMgSe单晶的生长.

关键词: ZnMgSe单晶 , 气相生长 , 输运剂 , 光学性质

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