闫会芳
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赵庆勋
,
付跃举
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刘卓佳
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张婷
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郭建新
,
任国强
,
刘保亭
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.01.015
应用磁控溅射法制备Ni-Al和Pt薄膜,溶胶-凝胶法制备P(VDF-TrFE)铁电共聚物薄膜,在SiO2/Si(001)衬底上首次构架了Pt/P( VDF-TrFE )/Ni-Al异质结电容器.X射线衍射(XRD)结果表明:Ni-Al薄膜为非晶结构,P(VDF-TrFE)薄膜具有较好的结晶质量.研究发现,在20 Hz测试频率下,Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al电容器具有饱和的电滞回线,在90 V驱动电压下,剩余极化强度与矫顽场分别为7.6 μC/cm2和45.7 V.在外加电压为40 V时,薄膜的漏电流密度约为5.37×10-6A/cm2.漏电机制研究表明,Pt/P( VDF-TrFE )/Ni-Al电容器满足欧姆导电机制.铁电电容器经过109极化反转后没有发现明显的疲劳现象.
关键词:
P(VDF-TrFE)
,
铁电薄膜
,
非晶Ni-Al
,
溶胶-凝胶
刘卓佳
,
刘保亭
,
彭增伟
,
代秀红
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闫会芳
,
付跃举
,
赵庆勋
人工晶体学报
以射频磁控溅射法生长的La0.5Sr0.5CoO3( LSCO)为电极,采用溶胶-凝胶法在以Ti-Al为导电阻挡层的Si基片上生长了用不同Pb过量前驱体溶液(溶胶)制备的LSCO/Pb( Zro4Ti0.6)O3(PZT)/LSCO电容器,以此构造了Pt/LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si异质结.Pb过量对LSCO/PZT/LSCO电容器极化翻转性能的影响表明:不同Pb过量溶胶对电容器的极化翻转性能影响很大,其中Pb过量15％的溶胶制备的样品在550℃常规退火1h后相对具有较好的翻转性能.在5V的外加电场下,LSCO/PZT/LSCO电容器的矫顽电压和剩余极化强度分别为1.25V和24.6μC/cm2.疲劳和电阻率测试分析表明:在经过109翻转后,不同样品的抗疲劳性能均很好,而电阻率随前驱体溶液Pb过量的增加呈现下降的趋势.
关键词:
Pb过量
,
铁电电容器
,
PZT
,
极化翻转
,
溶胶-凝胶
周阳
,
仇满德
,
付跃举
,
邢金柱
,
霍骥川
,
彭英才
,
刘保亭
人工晶体学报
在室温条件下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)衬底上制备了外延的ZnO薄膜.采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、可见-紫外分光光度计系统研究了ZnO薄膜微观结构和光学特性.AFM测量结果表明ZnO薄膜具有较为均匀的ZnO晶粒,表面平整,具有较小的均方根粗糙度(0.9 nm);X射线衍射结果表明制备的ZnO薄膜为具有六角纤锌矿结构的外延薄膜;光学透射谱显示样品在可见光范围内具有较高的透过性,并在370 nm附近出现一个较陡的吸收边,表明在室温下制备出了具有较高质量的ZnO薄膜.
关键词:
ZnO薄膜
,
射频磁控溅射
,
外延生长
付跃举
,
刘保亭
,
郭颖楠
,
傅广生
机械工程材料
采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO3基片上制备了La0.5 Sr0.5 CoO3薄膜,研究了沉积温度对La0.5Sr0.5CoO3薄膜微结构和导电性能的影响.结果表明:沉积温度低于400℃时,薄膜以非晶状态存在,未发生外延生长,沉积温度为550℃和650℃时,薄膜在基片上实现了外延生长;随着沉积温度的升高薄膜表面粗糙度呈现规律性的变化;薄膜的电阻率随沉积温度的升高单调下降,650℃沉积薄膜的电阻率最小为1.63μQΩ·cm.
关键词:
La0.5Sr0.5CoO3薄膜
,
射频磁控溅射
,
外延生长
赵庆勋
,
齐晨光
,
贾冬梅
,
付跃举
,
郭建新
,
刘保亭
人工晶体学报
采用Ni-Nb薄膜作为导电阻挡层,以La0.5 Sr0.5 CoO3 (LSCO)为底电极,构建了LSCO/Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3(PZT)/LSCO异质结电容器.使用X射线衍射仪和铁电测试仪对其进行结构表征和性能测试.实验发现:Ni-Nb薄膜为非晶结构,PZT薄膜结晶状况良好.LSCO/PZT/LSCO电容器在5V外加电压测试下,电滞回线具有良好的饱和趋势,剩余极化强度Pr为35.5 μC/cm2,矫顽电压Vc为1.42V,电容器具有良好的抗疲劳特性和保持特性.
关键词:
Ni-Nb阻挡层
,
Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3
,
La0.5Sr0.5CoO3
