张宇峰
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张溪文
,
任兆杏
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韩高荣
材料导报
离子束辅助沉积(IBAD)是在气相沉积的同时辅以离子束轰击的薄膜制备方法,可在低温下合成致密、均匀的薄膜.介绍了IBAD技术的概况,列举了具体应用领域,描述了射频ICP离子源辅助电子束蒸发,最后对IBAD的前景加以评论.
关键词:
离子束辅助沉积
,
薄膜
,
感应耦合等离子体
吴先球
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陈俊芳
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熊予莹
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吴开华
,
任兆杏
功能材料
用红外光谱和拉曼光谱分析了用低温电子回旋共振等离子体CVD技术制备的Si3N4薄膜的键态结构.结果表明Si3N4薄膜主要由Si-N键结构组成,还含有Si-H和Si-O-Si键结构.随着沉积温度的提高,Si3N4薄膜中的Si-H键减少,氢含量降低.可利用提高沉积温度来减少Si3N4薄膜中的氢含量.在沉...
关键词:
氮化硅
,
薄膜
,
键态结构
,
ECR-PECVD
陈俊芳
,
吴先球
,
王德秋
,
丁振峰
,
任兆杏
功能材料
利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的空间分布;在不同的工艺条件下制备了Si3N4薄膜;由STM和Telystep-Hobbso轮廓仪研究了ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜的表面微观特性,分析了沉积温度对ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜表面平整度特性影响的物理机理;结果表明EC...
关键词:
氮化硅:薄膜表面平整度
,
沉积温度
陈俊芳
,
吴先球
,
樊双利
,
王鑫
,
任兆杏
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.020
利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积技术在超高频大功率晶体管芯片表面沉积Si3N4钝化膜,实现了芯片的Si3N4薄膜钝化.对钝化前后的芯片测试表明,芯片经钝化后电特性有较好地改善,提高了反向击穿电压,降低了反向漏电流,提高了芯片的成品率.
关键词:
光电子学
,
ECR-PECVD
,
氮化硅钝化膜
,
芯片
