张宇峰
,
张溪文
,
任兆杏
,
韩高荣
材料导报
离子束辅助沉积(IBAD)是在气相沉积的同时辅以离子束轰击的薄膜制备方法,可在低温下合成致密、均匀的薄膜.介绍了IBAD技术的概况,列举了具体应用领域,描述了射频ICP离子源辅助电子束蒸发,最后对IBAD的前景加以评论.
关键词:
离子束辅助沉积
,
薄膜
,
感应耦合等离子体
吴先球
,
陈俊芳
,
熊予莹
,
吴开华
,
任兆杏
功能材料
用红外光谱和拉曼光谱分析了用低温电子回旋共振等离子体CVD技术制备的Si3N4薄膜的键态结构.结果表明Si3N4薄膜主要由Si-N键结构组成,还含有Si-H和Si-O-Si键结构.随着沉积温度的提高,Si3N4薄膜中的Si-H键减少,氢含量降低.可利用提高沉积温度来减少Si3N4薄膜中的氢含量.在沉积温度为420℃时Si3N4薄膜的Raman光谱在短波方向出现一新的展宽的拉曼散射峰.
关键词:
氮化硅
,
薄膜
,
键态结构
,
ECR-PECVD
李驰麟
,
傅正文
,
舒兴胜
,
任兆杏
无机材料学报
用电子回旋共振(ECR)等离子体辅助射频溅射沉积法制备快锂离子传导的锂磷氧氮(LiPON)薄膜. X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、紫外可见吸收光谱等手段表征了在不同ECR功率辅助下沉积的薄膜. 结果显示, ECR等离子体对磁控溅射沉积薄膜的生长有明显的影响,能够提高N的插入量, 改变薄膜的组成与结构. 但是过高的ECR功率反而易破坏薄膜的结构, 不利于N的插入. 最佳的实验条件是在ECR 200W辅助下沉积的LiPON薄膜, 它的电导率约为8×10-6S/cm. 讨论了ECR对沉积LiPON薄膜的N插入机理.
关键词:
锂磷氧氮薄膜
,
r.f. sputtering
,
electron cyclotron resonance
,
lithium ionic conductivity
陈俊芳
,
吴先球
,
王德秋
,
丁振峰
,
任兆杏
功能材料
利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的空间分布;在不同的工艺条件下制备了Si3N4薄膜;由STM和Telystep-Hobbso轮廓仪研究了ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜的表面微观特性,分析了沉积温度对ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜表面平整度特性影响的物理机理;结果表明ECR-PECVD制备的薄膜是一种表面均匀致密的纳米Si3N4薄膜.
关键词:
氮化硅:薄膜表面平整度
,
沉积温度
陈俊芳
,
吴先球
,
樊双利
,
王鑫
,
任兆杏
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.020
利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积技术在超高频大功率晶体管芯片表面沉积Si3N4钝化膜,实现了芯片的Si3N4薄膜钝化.对钝化前后的芯片测试表明,芯片经钝化后电特性有较好地改善,提高了反向击穿电压,降低了反向漏电流,提高了芯片的成品率.
关键词:
光电子学
,
ECR-PECVD
,
氮化硅钝化膜
,
芯片
李驰麟
,
傅正文
,
舒兴胜
,
任兆杏
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.01.032
用电子回旋共振(ECR)等离子体辅助射频溅射沉积法制备快锂离子传导的锂磷氧氮(LiPON)薄膜.X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、紫外可见吸收光谱等手段表征了在不同ECR功率辅助下沉积的薄膜.结果显示,ECR等离子体对磁控溅射沉积薄膜的生长有明显的影响,能够提高N的插入量,改变薄膜的组成与结构.但是过高的ECR功率反而易破坏薄膜的结构,不利于N的插入.最佳的实验条件是在ECR 200W辅助下沉积的LiPON薄膜,它的电导率约为8×10-6S/cm.讨论了ECR对沉积LiPON薄膜的N插入机理.
关键词:
锂磷氧氮薄膜
,
溅射沉积
,
电子回旋共振
,
锂离子传导率
