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VHF-PECVD制备不同氢稀释条件下硅薄膜特性分析

张晓丹 , 高艳涛 , 赵颖 , 朱锋 , 魏长春 , 孙建 , 侯国付 , 薛俊明 , 张德坤 , 任慧志 , 耿新华 , 熊绍珍

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.013

本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究.结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变.傅立叶变换红外吸收(FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为氧含量随着时间的推移而增多.而且,微结构因子(IR)的结果给出:对于适用于电池有源层的微晶硅材料来说,其IR不能太大,也不能太小,本实验中相对好的微晶硅材料其IR为31%.

关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积 , 微晶硅薄膜 , 傅立叶变换红外吸收

纯化器对VHF-PECVD制备的不同结构硅薄膜特性的影响

张晓丹 , 赵颖 , 朱锋 , 魏长春 , 高艳涛 , 孙建 , 侯国付 , 薛俊明 , 张德坤 , 任慧志 , 耿新华 , 熊绍珍

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.004

本文采用VHF-PECVD技术制备了不同结构的硅薄膜,分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响.电学特性和结构特性测试结果表明:在10W的功率条件下,使用纯化器时制备的薄膜是光敏性满足非晶硅电池要求的材料,而在不使用纯化器时制备的材料是适用于太阳能电池有源层的纳米硅材料;在30W时,不使用纯化器制备薄膜的晶化明显增大,光敏性也相应的降低,50W的条件表现出相类似的结果,初步分析是氧引起的差别;激活能的测试结果也表明,使用纯化器会降低材料中的氧含量,即表现激活能相对大;另外,沉积速率的测试结果也给出:耗尽区所在位置与是否使用纯化器有很大关系.

关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积 , 纯化器 , 硅薄膜

气压对VHF-PECVD制备的μc-Si:H 薄膜特性影响的研究

张晓丹 , 朱锋 , 赵颖 , 侯国付 , 魏长春 , 孙建 , 张德坤 , 任慧志 , 薛俊明 , 耿新华 , 熊绍珍

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.033

本文主要研究了用VHF-PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品.结果表明:沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大;光敏性(光电导/暗电导)和激活能测试结果给出了相同的变化规律;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的结果都表明了样品的晶化特性;通过工艺的具体优化得出了器件级的微晶硅材料.

关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积 , 氢化微晶硅薄膜 , 傅立叶变换红外光谱 , X射线衍射 , 微区喇曼光谱

高压13.56MHz PECVD法沉积器件质量级本征微晶硅材料

侯国付 , 郭群超 , 王岩 , 薛俊明 , 任慧志 , 宋建 , 张晓丹 , 赵颖 , 耿新华 , 李以钢

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.007

本文国内首次报道了采用高压RF-PECVD技术沉积本征微晶硅材料的结果.实验表明,增大等离子体激发功率和减小硅烷浓度都能够使薄膜材料由非晶硅逐渐向微晶硅转变,而结构上的改变使得电学特性也随之改变.通过工艺参数的优化和纯化器的使用,有效地控制了氧的掺杂,在较高的生长速度下得到了器件质量级的本征微晶硅材料.将实验得到的微晶硅作为太阳电池光吸收层,在没有ZnO背电极和没有优化窗口层材料以及p/i界面时,电池的效率达到5.22%,这进一步表明本征微晶硅材料的良好性能.

关键词: 微晶硅 , 太阳电池 , 高压 , 氧施主掺杂

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