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高Tc氧化物陶瓷超导材料的连接研究状况与展望

邹贵生 , 吴爱萍 , 任家烈 , 任维佳 , 梁陈剑

材料导报

综述了高Tc氧化物陶瓷超导材料连接研究在连接方法、工艺及机理方面的现状,分析了存在的问题,并对今后的研究进行了展望.

关键词: 氧化物陶瓷超导材料 , 熔化焊 , 半固态连接 , 微波连接 , 扩散连接

连接压力在Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si3N4陶瓷中的作用机制

邹贵生 , 吴爱萍 , 任家烈 , 任维佳 , 李盛

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2000.05.018

研究了Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si3N4陶瓷时压力对接头形成的作用机制。结果表明，TLP来不及与陶瓷发生充分反应并形成高强度结合界面就已完全凝固，为形成高强度的结合界面，必须进一步发生固态扩散反应。只有当连接过程中施加足够的压力，才能保证TLP在其存在期间充分铺展陶瓷，并在TLP完全凝固后形成大量扩散通道，为固态扩散反应提供必要条件。

关键词: 连接压力 , TLP扩散连接 , Si3N4陶瓷

Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si3N4陶瓷与接头质量控制

邹贵生 , 吴爱萍 , 任家烈 , 李盛 , 任维佳

航空材料学报 doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2001.01.005

研究了Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si3N4陶瓷。结果表明，Ni-Ti过渡液相存在时间短，在此期间形成的界面结合强度低；必须进一步固态扩散反应才能形成高强度接头，相应的接头显微结构为：Si3N4/TiN/Ti5Si3+Ti5Si4+Ni3Si/NiTi/Ni3Ti/Ni。连接时间、连接温度、连接压力及Ti和Ni的厚度影响接头组织和强度，其最佳值为60min，1050℃、2.5MPa、20μm和400μm，所得接头室温和800℃剪切强度分别为142MPa和61MPa。

关键词: TLP扩散连接 , Si3N4陶瓷 , 高温强度

金属间化合物提高陶瓷接头高温性能的作用

吴爱萍 , 邹贵生 , 任家烈 , 任维佳 , 李盛

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.11.022

研究了连接过程中通过原位形成金属间化合物来提高Si3N4陶瓷接头高温性能的可能性.研究了用Ti/Ni/Ti多层中间层在1000-1150℃温度范围内以过渡液相连接Si3N4陶瓷时Ti和Ni层厚度、连接时施加的压力以及连接温度与保温时间等因素对接头组织和强度(包括室温和高温强度)的影响规律.结果表明,在合理控制连接工艺和中间层金属厚度的条件下,可以通过原位形成金属间化合物获得室温和高温强度均较好的接头,800℃时接头的剪切强度可保持88 MPa左右.

关键词: Si3N4陶瓷接头 , 金属间化合物 , 高温强度

石蜡/泡沫碳相变复合材料的制备及蓄热实验?

张靖驰 , 盛强 , 童铁峰 , 任维佳

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.11.025

以石蜡类正二十烷相变材料为填充材料，泡沫碳为基体材料，制备了石蜡/泡沫碳相变复合材料。采用差示扫描量热法(DSC)分析了正二十烷相变材料的热物性，通过扫描电子显微镜(SEM)分别获得了泡沫碳和正二十烷/泡沫碳相变复合材料的表面形态图像。搭建了相变蓄热装置实验台，对3种不同材料的相变蓄热装置进行蓄放热对比实验，记录并分析了相变蓄热装置温度测试数据。与正二十烷的结果对比，泡沫材料的填充大幅提高相变材料的传热性能。在蓄热过程中，泡沫复合相变材料的升温速率明显降低；在放热过程中，正二十烷/泡沫碳相变复合材料温度恢复至室温的时间比纯二十烷恢复至室温的时间减少约30％。

关键词: 相变材料 , 泡沫碳 , 差示扫描量热法 , 扫描电子显微镜 , 蓄热

不同SnO2含量的Ag-SnO2触头材料电弧侵蚀行为

任维佳 , 王献辉 , 张苗 , 杨晓红 , 邹军涛

稀有金属

采用粉末冶金法制备了不同SnO2含量的Ag-SnO2触头材料,研究了SnO2含量对Ag-SnO2触头材料电弧侵蚀行为的影响.使用扫描电子显微镜(SEM)表征了Ag-SnO2触头材料电弧侵蚀形貌,对影响Ag-SnO2触头材料电弧侵蚀的因素进行了分析.结果表明,在电弧侵蚀过程中侵蚀优先发生在SnO2区域.随SnO2含量增多,燃弧时间依次增加,侵蚀面积逐渐减小,侵蚀坑变深,金属喷溅增强.

关键词: Ag-SnO2触头材料 , 粉末冶金 , 侵蚀形貌 , 电弧侵蚀

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