唐云山
,
柏胜强
,
任都迪
,
廖锦城
,
张澜庭
,
陈立东
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140378
通过放电等离子烧结(SPS)实现阻挡层 Ti-Al、过渡焊接层 Ni 与热电臂 Yb0.3Co4Sb12的一体化烧结，使用Ag-Cu-Zn 共晶合金完成热电元件 Yb0.3Co4Sb12/Ti-Al/Ni 与 Mo-Cu 电极的钎焊连接。扫描电镜(SEM)显示出Yb0.3Co4Sb12/Ti-Al/Ni/Ag-Cu-Zn/Mo-Cu 接头中各界面结合良好，无裂纹，成分分析发现 Yb0.3Co4Sb12/Ti-Al 界面存在AlCo、TiCoSb及TiSb2等金属间化合物(IMC)。500℃下等温时效30 d后， Yb0.3Co4Sb12/Ti-Al界面处的金属间化合物厚度无明显变化； Ag-Cu-Zn/Ni界面处Cu、Zn扩散趋于稳定， Cu-Zn扩散层厚度达到约40μm。界面接触电阻测试结果表明，等温时效前后Yb0.3Co4Sb12/Ti-Al/Ni/Ag-Cu-Zn/Mo-Cu元件的界面接触电阻率均低于10μ?·cm2。
关键词:
热电元件
,
放电等离子烧结
,
钎焊
,
接触电阻率
杨小燕
,
吴洁华
,
任都迪
,
张天松
,
陈立东
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160060
采用感应熔炼、球磨与放电等离子烧结的方法制备了SiC第二相均匀分布的Si80Ge20B0.6-SiC纳米复合热电材料.系统研究了细化Si80Ge20B0.6晶粒尺寸与复合SiC纳米颗粒对材料热电性能的影响.球磨导致的Si80Ge20B0.6晶粒尺寸的降低显著增加了材料的晶界数量,进而增强了晶界对中长波声子的散射,能够有效降低材料的晶格热导.Si80Ge20B0.6基体中均匀分布的纳米SiC颗粒提供了额外的散射中心和界面,可进一步增强声子散射,降低材料的晶格热导.在纳米结构化与SiC纳米复合的共同作用下,材料在1000 K时热电优值ZT达到了0.62,较基体提高了17％.证明纳米结构化与纳米复合方法能够共同作用于硅锗合金,提高其热电性能.
关键词:
硅锗合金
,
SiC纳米颗粒
,
热电材料
,
纳米复合
,
纳米结构
