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寺地德之 , 入江正丈 , 远藤城一 , 木村谦一 , 王春蕾 , 伊藤利道
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.03.018
用微波等离子体化学气相沉积方法合成高品质同质外延金刚石膜，并且用扫描电镜和阴 极荧光分析法评价。为了得到高薄膜生长速率，把甲烷浓度设定在4％。薄膜上的生长丘的数 量和大小依赖于生长条件。在本工作的样品中,未发现任何非外延晶粒。室温下的阴极荧光分 光结果表明这些金刚石薄膜具有与自由励起子相关的谱峰。氢终端的膜表面制作的铝电极显 示了P型整流特性,击穿电压高于380V。实验结果表明，阴极荧光分析法观测到的缺陷和电性 能密切相关，并且可以在有室温边发射的金刚石表面上制作具有高击穿电压的整流电极。
关键词: 击穿电压 , 铝肖特基二极管 , CVD金刚石膜
王春蕾 , 入江正丈 , 伊藤利道
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.03.015
利用高功率微波等离子体化学气相沉积方法及合适的预处理方法成功地合成了无生长丘 的高品质金刚石膜。阴极荧光（CL）结果表明在本工作的同质外延金刚石膜中，边发射在室温下也 是主峰之一。详细研究了室温下有异常粒子和无异常粒子的样品的CL谱和CL扫描图。发现边 发射主要产生于无异常粒子区域,而大多数异常粒子主要对位于425nm的BandA发射起作用。 因此抑制异常粒子的形成对提高同质外延金刚石膜的质量非常重要。
关键词: 同质外延金刚石膜 , 阴极荧光法(CL) , 边发射
