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Al2O3对应变SiGe上HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响

研究了阻挡层Al2O3对应变SiGe上HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响.高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在700℃温度下退火后仍然是非晶的.散能X射线谱(EDS)分析表明,阻挡层抑制了Si原子在HfO2薄膜中的扩散.X射线光电子谱(XPS)测试表明,阻挡层抑制了界面处HfSiO和GeO的x生长.电学测试分析说明,带有阻挡层的MIS电容的电学性能得到提高,包括60Coγ射线辐射后较高的电容密度、较低的缺陷密度、以及较小的平带电压漂移.

关键词: HfO2 , Al2O3 , 60Coγ射线辐射

基于SCR的SOI ESD保护器件研究

夏超 , 王中健 , 何大伟 , 徐大伟 , 张有为 , 程新红 , 俞跃辉

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.01.004

本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV.研究发现,注入剂量(9*13 -8*14cm-2)增加会引起触发电压减小,维持电压升高；Trench长度(0.8 -1.1μm)增加,器件触发电压几乎不变,维持电压降低；场氧化层长度(2 -4.5μm)增加,触发电压和维持电压均增加.

关键词: SOI ESD , SCR , Sentaurus , 保护器件

a-Si:H TFT OLED驱动电路中存储电容对显示性能的影响

李云飞 , 王永生 , 张晓龙 , 刘宏宇 , 王刚 , 邵喜斌 , 何大伟

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.05.010

对OLED两管a-Si: H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保持特性的影响,找出其间相互制约的数量关系,最后给出优化设计的参考值.

关键词: OLED , 有源驱动 , 存储电容 , 充电率

BaMgSi_2O_6:RE~(3+)(RE=Tb,Ce)的真空紫外光谱特性

唐伟 , 何大伟 , 周丹 , 王永生

稀有金属材料与工程

研究了MMgSi_2O_6:Tb~(3+) (M=Ca, Sr, Ba)样品的结构、发光特性.MMgSi_2O_6:Tb~(3+) (M=Ca,Sr , Ba)具有硅酸钙镁石结构,基质掺入铽离子后结构没有明显变化.结果表明:MMgSi_2O_6:Tb~(3+) (M=Ca, Sr ,Ba)在168、220和294 nm附近有强烈的吸收峰.在168 nm真空紫外激发下,546 nm是主发射峰.当材料BaMgSi_2O_6:Tb~(3+)中掺杂Ce~(3+)时,BaMgSi_2O_6:Tb~(3+)样品在168 nm真空紫外激发下的发射强度明显下降.

关键词: 硅酸盐 , VUV , 能量传递 , 稀土离子

(Y,Gd)Al3(BO3)4∶Ce,Tb的光谱特性及稀土离子间的能量传递

刘端阳 , 何大伟 , 康凯 , 刘春棠 , 李少霞

中国稀土学报

采用高温固相反应合成了(Y,Gd)Al3(BO3)4中掺杂Ce3+和Tb3+的样品,并研究了其结构特性、光谱特性和发光过程中稀土离子间的能量传递.(Y,Gd)Al3(BO3)4属于三角晶系,具有R32的空间群,掺入Ce3+,Tb3+杂质后晶格结构没有变化.(Y,Gd)Al3(BO3)4∶Ce,Tb的激发光谱由3个宽谱带组成,这3个谱带分别对应于Ce3+的4f-5d跃迁吸收.在该体系中存在Ce3+→Tb3+,Gd 3+→Tb3+和Gd3+→Ce3+的能量传递,其中Ce3+起敏化剂和中间体的双重作用.

关键词: (Y,Gd)Al3(BO3)4 , 激发光谱 , 发射光谱 , 能量传递 , 稀土

A Novel Structure of ZnS:Tm3+ TFEL Device

杨胜 , 何大伟 , 成正维 , 邓朝勇 , 关亚菲

稀土学报(英文版)

关键词:

SiGe上NbAlO栅介质薄膜微结构和电学性能分析

宋朝瑞 , 程新红 , 何大伟 , 徐大伟

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.01.020

本文针对SiGe上Al2O3/NbAlO/Al2O3三明治结构介质栈的热稳定性和电学性能进行了研究.高分辨透射电镜(HRTEM)测试表明退火后薄膜是结晶的,同步辐射X射线反射率(XRR)和X射线衍射(XRD)分析表明在薄膜中存在超晶格结构,有0.5nm的界面层存在,X射线光电子谱(XPS)表明界面层主要成分是SiOx,介质层与SiGe衬底之间的价带偏移是2.9eV.电学测试分析给出的等效栅氧厚度和介电常数分别是1.8nm和19.

关键词: NbAlO栅介质 , 价带偏移 , 超晶格

A Novel Structure of ZnS:Tm3+ TFEL Device

杨胜 , 何大伟 , 成正维 , 邓朝勇 , 关亚菲

稀土学报(英文版)

关键词:

单层氧化锌有序孔膜的制备与性质

富鸣 , 周济 , 王永生 , 何大伟

稀有金属材料与工程

采用电化学沉积方法,结合胶体晶体模板,通过循环伏安方法对体系的电化学特性进行研究,获得一种良好的低沉积速度的制备工艺,即通过合适的电位恒电势法,最终获得了单层二维的氧化锌有序孔膜结构.对应于不同的沉积厚度,所得有序孔的形貌也会有所不同.通过扫描电子显微镜对该氧化锌有序多孔膜结构进行了表征,并研究了相应的光致激发特性,二维氧化锌有序多孔膜在384 nm表现出明显光致激发峰,激发峰的位置没有因单层有序孔阵列结构存在而有明显改变.

关键词: 氧化锌 , 电沉积 , 有序孔 , 胶体晶体