许业文
,
何忠伟
,
徐政
,
孙丹峰
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.04.014
概述了低压ZnO压敏电阻的重要添加剂的作用,阐述了其电性能"三参数"(压敏电压梯度、非线性系数和漏电流)的影响因素.用低压ZnO压敏电阻的基本配方,以及在此基础上分别添加Co2O3、MnCO3、Co2O3+MnCO3四种配方制备样品作对比实验.发现Co2O3、MnCO3掺杂后都能引起压敏电压梯度升高,非线性系数显著提高,漏电流明显降低,且效果Co2O3+MnCO3大于MnCO3大于Co2O3.对造成上述差别的原因进行了深入分析.
关键词:
钴和锰掺杂
,
低压ZnO压敏电阻
,
压敏电压梯度
,
非线性系数
,
漏电流
何忠伟
,
许业文
,
徐政
,
孙丹峰
无机材料学报
发现了ZnO压敏陶瓷中的锥状或柱状“突起物”现象.通过能谱发现“突起物”的物质构成是ZnO,而且是ZnO晶粒生长形成的实体,并非气体在ZnO中形成的气泡.进一步论证了这种现象是ZnO极性生长造成的,并从内因和外因两个方面进行了分析.内因是ZnO的极性晶格结构和结晶形态,外因是ZnO压敏陶瓷中Bi2O3液相提供了极性生长得以显现的物化环境,并且通过单独添加Bi2O3的97mol%ZnO+3mol%Bi2O3配方和100mol%纯ZnO配方制备样品进行对比实验,验证了Bi2O3的作用.
关键词:
氧化锌压敏陶瓷
,
protuberance
,
polar growth
,
crystal structure
,
Bi2O3 liquid phase
何忠伟
,
许业文
,
徐政
,
孙丹峰
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.016
发现了ZnO压敏陶瓷中的锥状或柱状"突起物"现象.通过能谱发现"突起物"的物质构成是ZnO,而且是ZnO晶粒生长形成的实体,并非气体在ZnO中形成的气泡.进一步论证了这种现象是ZnO极性生长造成的,并从内因和外因两个方面进行了分析.内因是ZnO的极性晶格结构和结晶形态,外因是ZnO压敏陶瓷中Bi2O3液相提供了极性生长得以显现的物化环境,并且通过单独添加Bi2O3的97mol%ZnO+3mol%Bi2O3配方和100mol%纯ZnO配方制备样品进行对比实验,验证了Bi2O3的作用.
关键词:
氧化锌压敏陶瓷
,
突起物
,
极性生长
,
晶格结构
,
氧化铋液相