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Co2O3和MnCO3掺杂对低压ZnO压敏电阻电性能的影响

许业文 , 何忠伟 , 徐政 , 孙丹峰

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.04.014

概述了低压ZnO压敏电阻的重要添加剂的作用,阐述了其电性能"三参数"(压敏电压梯度、非线性系数和漏电流)的影响因素.用低压ZnO压敏电阻的基本配方,以及在此基础上分别添加Co2O3、MnCO3、Co2O3+MnCO3四种配方制备样品作对比实验.发现Co2O3、MnCO3掺杂后都能引起压敏电压梯度升高,非线性系数显著提高,漏电流明显降低,且效果Co2O3+MnCO3大于MnCO3大于Co2O3.对造成上述差别的原因进行了深入分析.

关键词: 钴和锰掺杂 , 低压ZnO压敏电阻 , 压敏电压梯度 , 非线性系数 , 漏电流

氧化锌压敏陶瓷中氧化锌晶粒极性生长现象的研究

何忠伟 , 许业文 , 徐政 , 孙丹峰

无机材料学报

发现了ZnO压敏陶瓷中的锥状或柱状“突起物”现象.通过能谱发现“突起物”的物质构成是ZnO,而且是ZnO晶粒生长形成的实体,并非气体在ZnO中形成的气泡.进一步论证了这种现象是ZnO极性生长造成的,并从内因和外因两个方面进行了分析.内因是ZnO的极性晶格结构和结晶形态,外因是ZnO压敏陶瓷中Bi2O3液相提供了极性生长得以显现的物化环境,并且通过单独添加Bi2O3的97mol%ZnO+3mol%Bi2O3配方和100mol%纯ZnO配方制备样品进行对比实验,验证了Bi2O3的作用.

关键词: 氧化锌压敏陶瓷 , protuberance , polar growth , crystal structure , Bi2O3 liquid phase

氧化锌压敏陶瓷中氧化锌晶粒极性生长现象的研究

何忠伟 , 许业文 , 徐政 , 孙丹峰

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.016

发现了ZnO压敏陶瓷中的锥状或柱状"突起物"现象.通过能谱发现"突起物"的物质构成是ZnO,而且是ZnO晶粒生长形成的实体,并非气体在ZnO中形成的气泡.进一步论证了这种现象是ZnO极性生长造成的,并从内因和外因两个方面进行了分析.内因是ZnO的极性晶格结构和结晶形态,外因是ZnO压敏陶瓷中Bi2O3液相提供了极性生长得以显现的物化环境,并且通过单独添加Bi2O3的97mol%ZnO+3mol%Bi2O3配方和100mol%纯ZnO配方制备样品进行对比实验,验证了Bi2O3的作用.

关键词: 氧化锌压敏陶瓷 , 突起物 , 极性生长 , 晶格结构 , 氧化铋液相

添加TiO2的ZnO压敏电阻的晶粒生长研究

何忠伟 , 徐政 , 孙丹峰

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2004.06.028

电子产品对低压压敏电阻的需求日益增长;添加TiO2可以使ZnO压敏电阻的晶粒长大,能有效地对压敏电阻进行低压化;实验证明了TiO2晶粒助长的作用,并对新发现的突起物现象进行了分析.

关键词: ZnO压敏电阻 , TiO2 , 晶粒长大 , 生长锥

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