刘强
,
何捷
,
蒋波
,
郑丹
,
万渝平
,
孙鹏
,
林理彬
功能材料
以聚乙烯醇缩丁醛(PVB)为基质,以高敏性类丁二炔化合物为主要有机染色材料,添加适当比例光引发剂,成功研制了一种高感度新型辐射变色膜.用CL-1000型紫外线交联仪进行紫外线辐照后,薄膜颜色由粉红渐变为蓝色,且随着辐照剂量的增加颜色深度递增.经分光光度计测试其吸收光谱,发现主吸收峰值出现在650nm附近,且在相同的紫外线能量密度下,吸收峰处的响应吸光度与辐照时间成线性响应关系.在相同的辐照时间内,吸收峰处的响应吸光度与紫外线能量密度亦成线性关系.染色材料中添加适当比例的光引发剂,可以提高薄膜的响应吸光度,进而提高其响应灵敏度.对于变色层厚度为30～60μm的辐射变色膜,敏感层厚度与吸光度响应成正相关性.室温下避光贮存60天内,此新型辐射变色膜具有较好的稳定性与可重复性.
关键词:
辐射变色薄膜
,
紫外辐照
,
能量密度
,
响应吸光度
,
剂量计
何捷
,
林理彬
,
王鹏
,
卢勇
,
邹萍
,
王治国
,
甘荣兵
功能材料
用能量为1.7MeV,束流强度0.7μA*cm-2,总注量6.3×l016 cm-2的电子辐照镁铝尖晶石透明陶瓷,并对辐照后的样品进行等时退火,利用UV-VIS和PAT测试,表明通过电子辐照样品在237nm和370nm处产生吸收带,它们主要是F心及V型色心.通过退火可以使F心及V型色心吸收峰消除,但F心的消除温度要高于V型色心,且其在退火过程中形成F聚心,F聚心随F心聚集增加其峰位将向紫外移动.
关键词:
镁铝尖晶石透明陶瓷
,
电子辐照
,
等时退火
,
F聚心
王治华
,
贺应红
,
李振声
,
左浩毅
,
何捷
,
郑玉臣
,
杨经国
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.03.012
使用Mie散射激光雷达在阴、雾和晴三种天气状况下采集了大气回波信号,从所测数据反演气溶胶消光系数的过程中发现,气溶胶后向散射消光对数比对反演结果存在较大影响.在阴天天气下,当后向散射消光对数比从0.7变化到1.0时,气溶胶消光系数反演结果相差近5倍;对晴天天气,反演结果相差近3倍;而在有雾天气,其反演结果变化不大.通过参考大气能见度因子对消光系数进行修正,并从而获得对应的后向散射消光对数比,给出了一种根据天气状况确定气溶胶后向散射消光对数比的新方法.实际反演计算表明,用此方法可获得与实际更为接近的气溶胶消光系数.
关键词:
大气光学
,
激光雷达
,
气溶胶消光系数
,
后向散射消光对数比
,
大气能见度
阳生红
,
张曰理
,
莫党
,
何捷
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.006
本文利用1.7 MeV电子辐照MgAl2O4尖晶石后,通过吸收谱测量表明,被电子辐照的尖晶石可产生大量的F型色心缺陷, 而且电子的辐照剂量明显地影响尖晶石的光谱特性.随着电子辐照剂量增加, F型色心缺陷的浓度增大;椭偏光谱分析得到的光学常数谱随电子辐照剂量的变化而改变.我们对上述现象进行了合理的分析.
关键词:
MgAl2O4尖晶石
,
电子辐照
,
吸收谱
,
F型色心
,
椭偏光谱
卢勇
,
林理彬
,
卢铁城
,
何捷
,
邹萍
功能材料
利用能量为1.7MeV、注量分别为1013～1015/cm2的电子辐照VO2薄膜,采用XPS、XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析,并采用光透射性能和电学性能测试研究了电子辐照对样品相变过程中光电性能的影响.结果表明电子辐照在VO2薄膜中出现变价效应,产生新的X射线衍射峰,带来薄膜化学成分的变化.电子辐照在样品中产生的这些变化对VO2的热致相变特性有明显影响.
关键词:
VO2薄膜
,
结构
,
相变性能
,
电子辐照
卢勇
,
林理彬
,
邹萍
,
何捷
,
王鹏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.015
本文通过合理控制真空还原时间和真空还原温度，利用真空还原V2O5的方法制备出具有优良热致相变性能的VO2薄膜；通过研究不同真空还原时间及真空退火温度对VO2薄膜结构和热致相变过程中光电性能的影响，得到最佳真空还原参数；制备的薄膜高/低温电阻变化最大达3个数量级，900nm波长光透过率在相变前后改变了40%左右，光学特性相变响应参数较大，热致相变性能优良。利用XPS、XRD对不同条件制备薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究，结果表明较低温度退火有利于V5+离子的还原，而升高退火温度可改善结晶状态，退火时间对VO2中结晶状况和V离子价态有显著影响。讨论了离子价态和样品结晶状态对VO2薄膜热相变过程中热滞回线的宽度、相变温度点的影响。
关键词:
VO2薄膜
,
热致相变
,
光电性能
卢勇
,
林理彬
,
何捷
,
卢铁城
功能材料
对VO2薄膜进行不同剂量的γ辐照处理,利用SEM和xPS对辐照前后的薄膜进行分析,发现γ辐照诱导V离子出现不同价态之间的转变现象,并且价态变化的程度和方向与辐照剂量有关;较低剂量γ辐照在薄膜表面造成显著损伤,当辐照剂量增大时,γ射线在VO2薄膜中产生退火效应,使薄膜表面质量得到改善.辐照后的VO2薄膜光透射特性测试结果与上述结论相合,对辐照诱导的价态变化和退火效应的机理进行了讨论.
关键词:
VO2薄膜
,
γ辐照
,
变价
,
退火效应
何捷
,
林理彬
,
卢勇
,
邹萍
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.01.015
本文用不同剂量的γ射线辐照镁铝尖晶石透明陶瓷,并对辐照后的样品进行等时退火,UV-VIS和FI-IR测试表明,辐照前3360cm-1处有吸收峰,它是由V-1OH心吸收引起的.经γ辐射,样品在370nm处产生吸收带,它是由辐照产生的V型色心吸收引起的.通过退火可以使V型色心吸收带消除.结果表明:较低剂量的γ辐照能降低陶瓷紫外到红外的透过率;大剂量的γ辐照能在陶瓷中产生退火效应,能增加陶瓷红外透过率.
关键词:
镁铝尖晶石透明陶瓷
,
γ辐照
,
V型色心
,
透过率
王硕
,
陈家胜
,
何捷
,
孙鹏
功能材料
制备了一批辐射变色薄膜,利用紫外线辐照该薄膜,辐照后薄膜由无色变为蓝色,并在670nm处出现一吸收峰,吸收峰的吸光度对辐照剂量有良好的线性响应关系.对辐照后的薄膜进行了退火实验,当温度升高到45℃后,出现一新的吸收峰(545nm),随着温度进一步升高670nm峰逐渐消失,545nm峰逐渐升高.当温度达到110℃时,670nm峰完全消失,545nm峰达到稳定,薄膜也相应地由蓝色变为粉红色.薄膜颜色的变化主要是由于其内部分子结构发生了变化:由碳碳三键共轭(无色)变为辐照后的碳碳三键和碳碳双键不在一个平面内的共轭(蓝),最后变为退火后的碳碳三键和碳碳双键在一个平面内的共轭(粉红).进一步的红外光谱分析也证实了对薄膜结构变化的解释.
关键词:
辐射变色薄膜剂量计
,
退火效应
,
红外光谱分析
,
变色机理
