张龙
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张磊
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张明
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何新农
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汤文明
材料热处理学报
采用Al2O3-Y2O3-CaO烧结助剂体系,低于1600℃无保护气氛条件下常压烧结制备SiC陶瓷.研究了粘结剂含量、压制压力、SiC原料粒径级配、烧结温度、烧结助剂含量等对SiC陶瓷结构与性能的影响,优化低温常压烧结SiC陶瓷工艺参数.结果表明,在SiC陶瓷烧结过程中,烧结体中的助烧熔体能充分填充孔隙,并在随后的冷却过程中大多转化为晶态氧化物,有效促进SiC陶瓷的烧结致密化,并赋予其良好的结构与性能.采用3.5 μm和0.5 μm粒径的SiC粉体按3∶1质量比级配,烧结助剂含量为30％(质量分数),1575℃烧结制备的SiC陶瓷的密度为2.93 g/cm3,抗弯强度为359 MPa.
关键词:
SiC陶瓷
,
常压烧结
,
烧结助剂
,
结构与性能
