于海群
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左然
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徐楠
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何晓崐
人工晶体学报
从分子动力学理论出发,推导出垂直式MOCVD反应器中热泳力和热泳速度与温度、温度梯度、压强、粒子直径的关系式,以及热泳速度与扩散速度、动量速度平衡时的关系式.在典型的生长条件下,计算得到在温度T=605K时,热泳速度与扩散速度、动量速度动量平衡,TMGa浓度达到最大.然后在不考虑化学反应和考虑化学反应两种情况下,针对垂直式MOCVD反应器内的热泳力对粒子浓度分布和沉积的影响进行数值模拟,模拟给出反应粒子在反应器不同进口温度、衬底温度时的温度分布、浓度分布和反应速率.并与文献中的实验值进行对比,模拟结果与实验值有很好的吻合.
关键词:
MOCVD
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GaN
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热泳力
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数值模拟
何晓崐
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左然
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徐楠
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于海群
材料导报
介绍了用于外延生长Ⅲ-V族化合物薄膜的原子层外延(ALE)的国内外进展.以GaAs为例,讨论了ALE生长Ⅲ-V族化合物的表面反应机理.GaAs的ALE表面反应机理主要有两种:一种是吸附质阻挡机理,即Ga-(CH3)3在表面发生热解,最终Ga(CH3)x(x=1或2)在表面吸附,依靠Ga(CH3)x中CH3的空间位阻效应,表面反应自动停止;另一种是选择性吸附机理,即Ga(CH3)3在表面热解后形成的吸附物质是Ga原子,当表面完全覆盖一层Ga原子,即表面Ga原子饱和,表面反应自动停止.还介绍了ALE生长中的气相反应以及H原子对ALE生长过程的影响.
关键词:
原子层外延
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GaAs
,
表面化学反应
