材料期刊网

垂直转盘式MOCVD反应器中GaN化学反应路径的影响研究

徐楠 , 左然 , 何晓焜 , 于海群

人工晶体学报

对垂直转盘式MOCVD反应器生长GaN的气相化学反应路径进行研究.结合反应动力学模型,分别采用预混合进口但改变反应腔高度,以及采用环形分隔进口,对反应器的温场、流场和浓度场进行CFD数值模拟,由此确定反应器结构参数对化学反应路径的影响.通过观察主要含Ga粒子的浓度分布以及不同反应路径对生长速率的贡献...

关键词: 生长速率 , MOCVD , GaN , 反应路径