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董俊 , 史冰川 , 何永国 , 栾石林
人工晶体学报
本文对几种典型的实测电阻率曲线进行分析,利用普凡公式和补偿后净载流子导电模型对曲线的异常进行了合理解释并用低温红外检测结果进行了对比验证.采用硼磷杂质浓度补偿净值方法计算出的数据接近实测情况,电阻率特性曲线符合普凡公式描述的规律,可作为理论特性曲线使用.
关键词: 硅多晶 , 磷检 , 电阻率 , 净载流子
