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检索条件:作者=何海燕  

  • 论文(2)

退火对离子注入GaN产生的深能级的影响

许小亮 , 何海燕 , 刘洪图 , 施朝淑 , 葛惟昆 , Luo E Z , Sundaravel B , Wilson I H

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.04.002

我们最近报道了大剂量Al+注入原生GaN后对其光学性质的影响.表明Al+的注入可能产生了某种深能级电子陷阱,由于电子陷阱俘获导带电子,导致发光猝灭.而经一定条件的退火处理,可使深的电子陷阱发生变化,因而与缺陷间的跃迁相关的黄色荧光可得到一定程度的恢复.由于注入样品的电阻率高达1012 Ωcm, 因此...

关键词: 退火 , 离子注入 , GaN , 深能级

Mg掺杂对MgZnO纳米线带隙和结构的调节

张艳革 , 何海燕 , 潘必才

金属功能材料

采用第一性原理对Mg掺杂的不同尺寸MgZnO合金纳米线的晶体结构、分布行为、电子结构和波函数进行了计算和分析.研究表明,Mg在合金纳米线中偏向均匀分布并且Mg能有效地在较大范围内线性调节纳米线的带隙.此外,通过计算结合能得到MgxZn1-xO纳米线从纤锌矿结构到岩盐矿结构的相变点在x=0.65,和实...

关键词: 第一性原理 , 相变点 , 密度泛函理论 , MgZnO合金纳米线 , 能带调节