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反应溅射中靶面附近的粒子输运研究

陶甫廷 , 王敬义 , 何笑明 , 王宇 , 尹盛

稀有金属材料与工程

列出了各类粒子的产生、输运和它们同靶表面反应的速率方程,并计及高能中性粒子对靶面溅射的剥离速率方程.有关方程耦合后求解溅射速率与气体流量和放电电流的关系.本文强调反应粒子的反应碰撞,论述了从粒子输运出发探讨薄膜生长方法的优点.

关键词: 薄膜生长 , 反应粒子输运 , 生长速率

用冷等离子体结合湿法冶金制备太阳级硅材料

尹盛 , 何笑明

功能材料

太阳级硅材料是制造廉价太阳电池的理想材料.冷等离子体提纯与湿法冶金是制造太阳级硅材料的两种重要方法.它们各有优缺点,使之结合起来则可以取长补短,大大提高硅材料的提纯效果.文中制备了纯度达5mol/L的硅材料,基本达到制造太阳电池的要求.

关键词: 冷等离子体 , 湿法冶金 , 太阳级 , 提纯

靶面化合物覆盖度的计算方法研究

陶甫廷 , 王敬义 , 何笑明 , 王宇

稀有金属材料与工程

由溅射速率方程和反应粒子输运方程得出了靶面化合物的覆盖度.所有方程都用反应室结构参数和宏观参数表示.文中还给出了溅射淀积TiN薄膜的计算结果,结果表明与实验数相吻合.所建立的方法便于工艺优化的实施,属新的工程方法.

关键词: 反应溅射 , 靶中毒 , 反应粒子

直流磁控溅射工艺对ZnO薄膜结构影响的研究

吕文中 , 贾小龙 , 何笑明

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.008

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料.当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射.本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响.结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1∶4的条件下,可得到结晶质量良好的ZnO薄膜;通过退火可以使薄膜应力得到驰豫,降低缺陷浓度,改善薄膜的结构特性.本实验采用直流磁控溅射的方法,最终在(100)硅衬底基片上制备出了高c轴取向、晶粒尺寸约70nm的ZnO薄膜.

关键词: ZnO薄膜 , 基片温度 , c轴取向 , 退火 , 氩氧比 , 结晶质量

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