李荣斌
,
杨小倩
,
胡晓君
,
沈荷生
,
李明利
,
赵国华
,
何贤昶
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2003.11.013
采用固体三氧化二硼,用热丝辅助化学气相沉积法在石墨衬底上沉积了掺硼金刚石涂层.用喇曼谱、扫描电镜及电导-温度关系研究了掺硼金刚石涂层的生长气压和掺硼浓度等主要工艺参数对涂层的形貌、结构及电学性能的影响和涂层的循环伏安特性.结果表明,石墨基金刚石涂层电极具有优良的电化学性能.
关键词:
掺硼金刚石涂层
,
石墨
,
电学与电化学性能
李荣斌
,
胡晓君
,
沈荷生
,
何贤昶
功能材料
利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,以丙酮为碳源,用二甲基二硫和三氧化二硼作掺杂源,在硅衬底上制备了硼与硫共掺杂的金刚石薄膜.用俄歇谱分析金刚石薄膜中硫的含量,用傅里叶红外光谱(FTIR)分析了薄膜表面键结构,用扫描电子显微镜(SEM)观测薄膜的表面形貌,X射线衍射(XRD)和喇曼(Ra...
关键词:
共掺杂
,
化学气相沉积
,
金刚石薄膜
杨小倩
,
胡晓君
,
沈荷生
,
张志明
,
李荣斌
,
何贤昶
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2002.01.004
采用固体三氧化二硼,在单晶硅(100)衬底上用微波CVD法生长金刚石薄膜和进行p型掺杂,对不同掺杂碳源浓度下CVD金刚石薄膜的掺杂和生长行为、薄膜表面形貌、薄膜的电性能等进行了研究.结果表明,硼确实已掺入金刚石膜中;在SEM下观察到硼掺杂金刚石膜结构致密没有孔洞;用Ti和Ag分别在掺杂金刚石薄膜表面...
关键词:
CVD金刚石薄膜
,
掺杂
,
电学性能
夏琦
,
张志明
,
沈荷生
,
孙方宏
,
何贤昶
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2000.04.004
用EACVD法在硬质合金(YG6)刀具上沉积金刚石涂层;用氢微波等离子体刻蚀的方法对基底进行表面预处理,以期提高金刚石涂层的附着力和涂层刀具的切削性能;附着力采用压痕法计算测定,切削性能通过对碳化硅增强铝基复合材料的切削试验测定;用X射线应力仪测试了涂层残余应力,并就不同预处理对性能的影响进行了分析...
关键词:
CVD金刚石涂层
,
微波等离子体刻蚀
,
硬质合金刀具
,
附着力
,
切削性能
胡晓君
,
李荣斌
,
沈荷生
,
戴永兵
,
何贤昶
无机材料学报
用离子注入方法,在CVD金刚石薄膜中共注入硼离子和磷离子,得到了电阻率较低的n型金刚石薄膜。Hall效应测试表明,800℃退火后,在注入的磷离子剂量相同的情况下,共注入硼的金刚石薄膜的载流子浓度与单一掺磷的相近,但Hall迁移率高,电阻率低。FTIR结果表明B-H结的形成钝化了硼的受主特性,使磷的施...
关键词:
金刚石薄膜
,
co-doping
,
n-type
,
resistivity
万永中
,
张志明
,
沈荷生
,
何贤昶
,
张卫
,
王季陶
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.06.002
通过热力学分析从理论计算上给出了C-H-N体系中低压生长金刚石的三元相图.该相图中存在金刚石生长区.不同温度和压强下金刚石生长区几乎都位于CH4-N连线以下,并且随衬底温度的改变而有显著的变化.随着氮含量的增加,金刚石生长区向碳含量减少的方向移动.使用该相图对优化添加含氮气源生长金刚石的实验条件提供...
关键词:
金刚石
,
含氮气源
,
相图
,
化学气相淀积
