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TiNi基形状记忆合金薄膜的相变特征研究

王治国 , 祖小涛 , 封向东 , 余华军 , 傅永庆

航空材料学报 doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2006.04.014

利用磁控溅射的方法在单晶Si和非晶SiO2基片上制备了TiNi和TiNiCu形状记忆合金薄膜,并利用示差扫描量热法和基片曲率法研究了薄膜的相变特征及应力随温度的变化.研究结果表明450℃溅射形成的记忆合金薄膜具有良好的形状记忆效应,在微电子机械系统有很好的应用前景.TiNi薄膜降温时出现R相变,因而发生两步相变,而TiNiCu薄膜中马氏体和奥氏体间直接转变.基片以及薄膜成份对相变点有很大的影响.单晶Si片作为基片时,记忆合金薄膜和基片间有很好的结合力,而SiO2作为基片时,记忆合金薄膜容易剥落.

关键词: TiNi基形状记忆合金薄膜 , 相变特征 , 示差扫描量热法(DSC) , 基片曲率法

Gd60Co026Al14大块非晶合金的磁熵变

张晓艳 , 付浩 , 祖小涛 , 余华军

稀有金属材料与工程

利用铜模吸铸法制备了Gd60Co26Al14非晶合金.采用示差扫描量热法(DSC),X射线衍射(XRD)和超导量子磁强计(SQUID)研究了其结构与磁热性能.XRD分析表明:铸态Gd60Co26Al14合金是完全的非晶结构;DSC测试显示Gd60Co26Al14合金在加热过程中在571 K发生玻璃化转变,并且出现了两个结晶温度,分别是602 K和642 K.SQUID测试结果表明:Gd60Co26Al14合金出现两个居里温度,分别是82 K和128 K;合金在外磁场5 T下82 K处的磁熵变达到7 J·(kg·K-1).

关键词: 大块非晶 , 居里温度 , 等温磁熵变 , 磁致冷材料

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