杨燕
,
余涛
,
金成刚
,
韩琴
,
吴兆丰
,
诸葛兰剑
,
吴雪梅
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.21.028
采用无金属催化剂的简单热蒸发法,在 Si (100)衬底上不同生长温度下成功地制备了高密度和大长径比的单晶 ZnO 纳米线。分别利用 X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM-EDS)、透射电子显微镜(TEM)及荧光光谱仪表征样品的结构和发光性质。XRD和 TEM研究表明,所制备的样品为沿c 轴择优取向生长的单晶ZnO 纳米线,具有六方纤锌矿结构。SEM和TEM研究表明,生长温度对ZnO 纳米线的形貌及长径比的影响较大。当生长温度为700℃时,制备得到长径比为300(长度约为15μm,直径约为50nm)的 ZnO 纳米线;低于600℃时,形成花状 ZnO纳米锥或纳米棒;高于700℃时,形成小长径比的 ZnO纳米棒。此外,室温光致发光(PL)谱上出现一个强而尖锐的紫外发射峰以及一个弱而宽泛的蓝光发射峰。采用的热蒸发法制备ZnO 纳米线基于气-固(VS)生长机理且该生长方法可用于大规模、低成本制备高纯度的单晶ZnO 纳米材料。
关键词:
ZnO 纳米线
,
热蒸发
,
光致发光
,
气-固(VS)机理
陈息林
,
余涛
,
吴雪梅
,
董尧君
,
诸葛兰剑
功能材料
利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面特性。由C-V/I-V特征曲线表明,辅源能量200eV下制备的Ta2O5基MOS电容具有最小的平带电压偏移量、氧化层电荷密度以及漏电流。研究表明合适的辅源能量可有效改善薄膜生长机制,使薄膜由类岛状沉积转化为层状生长,从而提高晶粒均匀性、薄膜平整度以及致密性,使薄膜具有较好的电学性质。
关键词:
高k栅介质
,
Ta2O5
,
MOSFET器件
,
微结构
,
电学性质
余涛
,
滕锦光
玻璃钢/复合材料
doi:10.3969/j.issn.1003-0999.2011.05.003
FRP-混凝土-钢双壁空心构件( DSTM)是一种新型组合构件,由外部FRP管、内部钢管以及两者之间填充的混凝土三部分组成,三种材料的协同互补和共同工作使该组合柱具有许多优于现有组合构件的力学性能.该种新型构件中,外FRP管和内钢管可以同心放置以用作受压构件,也可以偏心放置以用作受弯构件.本文阐述了该种新型组合构件截面形式的合理性及优点,总结了针对其力学性能和设计方法的现有研究,并探讨了其在桥梁工程中应用的潜力.
关键词:
FRP
,
混凝土
,
钢
,
组合构件
,
桥梁结构
余涛
,
吴雪梅
,
诸葛兰剑
,
葛水兵
材料导报
论述了45~32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料.研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较Hfo2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性以及电学特性,但与此同时也存在如何优化掺杂量、沟道载流子迁移率下降以及中间层引起的界面退化等难题.针对这些挑战,探讨了新型"堆垛结构"和引起载流子迁移率下降的物理机制,展望了高K材料在未来先进COMS器件中的应用.
关键词:
高K栅介质
,
HfO2
,
Hf基高K栅介质材料
,
MOSFET器件