闫丹
,
吴平
,
邱宏
,
俞必强
,
赵云清
,
张师平
,
吕反修
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.011
采用射频磁控溅射法在氧氩比为0.2的混合气氛中,分别在室温、100℃、200℃、250℃、300℃、350℃和400℃温度下,在P-Si(100)衬底上制备了HfO2薄膜,并用SEM、XRD和AFM研究了衬底温度与薄膜沉积速率对微结构的影响.结果表明:随着衬底温度的增加,薄膜沉积速率呈减小趋势.室温...
关键词:
射频磁控溅射
,
HfO2薄膜
,
衬底温度
,
微观结构
