孙海波
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石锋
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曹玉萍
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薛成山
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修显武
功能材料
在Au点阵模板上磁控溅射ZnO薄膜,然后在O_2气氛下1000℃退火制备了ZnO单晶堆垒纳米棒.采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)和傅立叶变换红外(FTIR)光谱对样品进行分析.结果表明,ZnO纳米棒是由诸多单晶堆垒而成,每个单晶均为六方纤锌矿结构,纳米棒直径在100nm左右.初步探讨了ZnO单晶堆垒纳米棒可能的生长机理.
关键词:
氧化锌
,
单晶堆垒
,
纳米棒
裴素华
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修显武
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孙海波
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黄萍
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于连英
稀有金属材料与工程
为进一步揭示Ga在SiO2/Si系统下的完整扩散特性和分布行为,利用扩展电阻(SRP)分析方法,对恒定源、限定源,二次氧化(指磷扩散的再分布过程)不同温度和气氛,Ga在近硅表面微区域浓度连续性变化状态进行了系统研究.结果表明,恒定源掺杂过程有Ga的低浓度区形成;限定源再分布过程Ga出现反扩散特性;二次氧化过程Ga产生异常分凝特性.上述分布行为的综合效果,导致近硅表面Ga的浓度处于耗尽状态.对Ga的表面耗尽,可通过适当的工艺方法给予补偿,因此Ga基区晶体管的电学性能仍然优于同类产品.
关键词:
Ga
,
近硅表面
,
浓度分布
裴素华
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孙海波
,
修显武
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张晓华
,
江玉清
稀有金属材料与工程
用H2和Ga2O3的高温反应形成元素Ga的恒定表面源,通过SiO2-Si复合结构实现了Ga在Si中的高均匀性掺杂;利用二次离子质谱分析(SIMS)、扩展电阻(SRP)、四探针测试等方法,对P型杂质Ga在SiO2薄膜、SiO2-Si两固相接触的内界面、近Si表面的热分布进行分析;揭示出开管方式扩散Ga的实质是由SiO2薄膜对Ga原子的快速输运及其在SiO2-Si内界面分凝效应两者统一的必然结果;并对该过程Ga杂质浓度分布机理进行了分析和讨论.
关键词:
Ga
,
SiO2-Si结构
,
浓度分布
