杨培志
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廖晶莹
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沈炳孚
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邵培发
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倪海红
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方全兴
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殷之文
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.02.003
用改进的垂直坩埚下降法成功地生长了高质量的钨酸铅晶体,晶体毛坯的尺寸为28mm×28mm×360mm,晶体的生长工艺参数为:籽晶取向[001],下降速度0.6~1.0mm/h,生长界面附近的温度梯度为20~30℃/cm,加工后的晶体成品在420nm附近的透过率>60%;在360nm附近的透过率>25%.晶体的光输出>9p.e/MeV,光伤<5%.
关键词:
钨酸铅晶体
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坩埚下降法
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杂质分析
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闪烁性能