倪贤锋
,
叶志镇
材料导报
氮化镓材料中的位错是制约GaN发光器件及电子器件的性能的一个关键因素.目前对于氮化镓材料中的位错的研究是一大热点.扼要综述了位错对于材料及器件的物理性能的影响:非辐射复合作用、造成器件的漏电流、缩短器件的寿命.并简要介绍了减少GaN外延层中的位错密度的几种方法.
关键词:
GaN薄膜
,
位错
,
非辐射复合中心
,
漏电流
洪炜
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朱丽萍
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叶志镇
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唐海平
,
倪贤锋
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赵浙
材料导报
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,GaN/Si基器件成为一个研究热点.然而,GaN与Si之间的热失配容易引起薄膜开裂,这是限制LED及其它电子器件结构生长的一个关键问题.近年来,随着工艺的发展,GaN晶体质量得到大幅度的提高.同时不少研究小组成功地在Si衬底上制造出LED.介绍了GaN薄膜开裂问题及近期硅衬底GaN基LED的研究进展.
关键词:
硅衬底 GaN LED 薄膜开裂
