何岗
,
彭超
,
赵德森
,
何明中
,
洪建和
,
栗海峰
,
公衍生
材料科学与工艺
为了系统地探讨Pb（ Zrx Ti1-x ） O3（ PZT）薄膜组成-结构-性能之间的规律，在室温和无蒸馏回流条件下，利用配制的前驱溶液PT（ Pb和Ti的金属有机物溶液）和PZ（ Pb和Zr的金属有机物溶液）及组合化学法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上简单快捷地制备了一系列Pb（ZrxTi1-x）O3薄膜．XRD分析表明，薄膜具有钙钛矿结构，择优取向为（111），晶格参数变化规律与传统方法制备的PZT薄膜的结果一致．x＝0．3的前驱体在200℃附近出现特殊的热分解现象．XPS测试结果证实薄膜成分基本符合理论值，SEM结果显示薄膜界面清晰，与基片接触良好，厚度在450 nm左右．电滞回线测试表明，富钛区样品剩余极化与矫顽场都较大；近准同型相界附近样品具有良好的铁电性，剩余极化较大且矫顽场较小；富锆区样品剩余极化与矫顽场较小，出现反铁电特征．
关键词:
化学溶液分解
,
组合合成
,
Pb(ZrxTi1-x)O3
,
薄膜
,
铁电性
田永尚
,
公衍生
,
李兆营
,
江峰
稀有金属材料与工程
采用TG-DSC分析了IrO2与SrCO3、BaCO3的固相反应过程,探讨了不同温度、不同比例和二次煅烧等合成工艺参数对SrIrO3、BaIrO3物相的影响,得到了纯的SrIrO3、BaIrO3复合氧化物粉体的最佳合成条件.在此基础上,采用放电等离子烧结(SPS)技术制备了结晶度良好、高致密度的SrIrO3、BaIrO3复合氧化物陶瓷.
关键词:
AIrO3(A=Sr,Ba)
,
粉体
,
可控合成
,
放电等离子烧结
夏明祥
,
王传彬
,
公衍生
,
沈强
,
张联盟
稀有金属材料与工程
利用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制得了导电氧化铱(IrO2)薄膜.讨论了沉积参数(O2分压、衬底温度)对IrO2薄膜的结构、表面形貌和导电性的影响.结果表明:20 Pa为最佳O2分压、400℃～500℃为适宜的沉积温度,此条件下制得的IrO2薄膜结晶完整,组织均匀、形状一致,排列致密,其最低电阻率约为42μΩ·cm.
关键词:
氧化铱薄膜
,
脉冲激光沉积
,
电阻率
邓浩
,
公衍生
,
罗文君
,
严春杰
硅酸盐通报
以工业废料粉煤灰为主要原料,以MnO2和钾长石作为助熔剂,采用传统造粒方法和高温烧结技术,结合树脂覆膜的方法,制备了低密度高强度的树脂覆膜陶粒支撑剂.研究了MnO2的加入量、烧结温度、保温时间对陶粒支撑剂性能的影响规律,利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对陶粒支撑剂中主要晶相和显微结构进行了分析.研究结果表明:当加入2wt％的MnO2时,显著降低了支撑剂的烧成温度,促进烧结提高了致密度.通过树脂覆膜大幅提高了支撑剂的性能,覆膜后,其52 MPa破碎率最多下降了87.3％,视密度也显著下降.
关键词:
陶粒支撑剂
,
粉煤灰
,
低密度
,
覆膜
李兆营
,
公衍生
,
田永尚
,
江峰
,
张志龙
电镀与涂饰
在不同沉积温度(25 ～ 400℃)下,利用射频磁控溅射技术在S i(100)基底上制备了TiN薄膜.采用X射线衍射仪和原子力显微镜研究了沉积温度对膜结构和表面形貌的影响,计算了晶面间距和晶格常数,分析了薄膜的应力性质.实验结果表明,不同沉积温度下制备的TiN薄膜主要含有(111)和(220)两种取向,以(220)为择优取向;随着温度的升高,薄膜晶化质量先提高然后趋于稳定.薄膜内应力为压应力,且随温度的升高而有所增大.随沉积温度升高,薄膜晶粒尺寸变小,表面结构更加均匀致密.
关键词:
氮化钛
,
薄膜
,
射频磁控溅射
,
沉积温度
,
微观结构
,
表面形貌
公衍生
,
周炜
,
梁玉军
,
谭劲
稀有金属材料与工程
采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了高导电的IrO2薄膜,重点研究了退火前后其电学性能和微观结构的变化规律.采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光电子能谱(XPS)和四探针法对退火前后IrO2薄膜的结构和电性能进行了表征,并利用霍尔效应研究了IrO2薄膜的导电机理.结果表明:IrO2薄膜在空气中退火后,导电性能得到提高,其中在750℃退火的电阻率达到最小值37μΩ·cm.在25～500℃范围内,IrO2薄膜的高温电阻率随着温度的升高呈线性关系逐渐增大,呈现出类似金属的导电特征.在250～400℃沉积的IrO2薄膜载流子的类型为p型；沉积温度较高(500℃)或在更高温度退火处理后,IrO2薄膜载流子的类型为n型,其导电机理以电子导电为主.
关键词:
氧化铱薄膜
,
电性能
,
导电机理
,
霍尔效应
龙廉骏
,
徐建梅
,
公衍生
,
武明阳
,
崔新友
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140431
采用部分共沉淀法制备锆钛酸铅镧(PLZT)粉体, 分别用普通马弗炉和微波马弗炉进行烧结成瓷, 对比分析不同烧结方法对PLZT陶瓷的晶体结构、微观形貌和电学性能的影响.结果表明: 微波烧结和常规烧结均成功制备出钙钛矿相PLZT陶瓷.采用微波烧结得到的PLZT陶瓷样品比常规烧结的晶粒细小, 尺寸更均匀, 孔洞较少; 在电学性能相近时, 微波烧结温度远低于常规烧结, 且保温时间远小于常规烧结.在1000℃进行微波烧结, 陶瓷的介电常数εr和压电常数d33最大,εr为2512,d33为405 pC/N,此时,剩余极化强度为16.5 kV/cm,矫顽场为8.2μC/cm2;在1250℃常规烧结,陶瓷的介电常数最大,为2822,压电常数最大,为508 pC/N,剩余极化强度为21.6 kV/cm,矫顽场为9.6μC/cm2.
关键词:
锆钛酸铅镧
,
微波烧结
,
压电性能
,
介电性能
公衍生
,
涂溶
,
後藤孝
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00391
采用激光化学气相沉积（LCVD）技术在氧化铝衬底上制备了高取向的TiNx薄膜,重点研究了激光功率（PL）、衬底预热温度（Tpre）和沉积总压力（Ptot）对薄膜取向和沉积速率的影响,采用X射线衍射（XRD）、俄歇能谱（AES）和场发射扫描电镜（FESEM）对薄膜组成和结构进行了表征.结果表明：所得到的TiNx薄膜成分均匀,其取向与衬底预热温度有关,随着预热温度的升高,TiNx薄膜的取向由（111）变为（200）,薄膜的取向与其微观结构一致.TiNx薄膜的沉积速率随着激光功率升高而增大,在PL=100W时,达到最大值90μm/h（沉积面积为300mm2）,显著高于采用其它方法制备的TiNx薄膜.
关键词:
TiNx薄膜
,
highspeed deposition
,
orientation
,
laser chemical vapor deposition (LCVD)
公衍生
,
涂溶
,
後藤孝
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00391
采用激光化学气相沉积(LCVD)技术在氧化铝衬底上制备了高取向的TiN_x薄膜,重点研究了激光功率(P_L)、衬底预热温度(T_(pre))和沉积总压力(P_(tot))对薄膜取向和沉积速率的影响,采用X射线衍射(XRD)、俄歇能谱(AES)和场发射扫描电镜(FESEM)对薄膜组成和结构进行了表征.结果表明:所得到的TiN_x薄膜成分均匀,其取向与衬底预热温度有关,随着预热温度的升高,TiN_x薄膜的取向由(111)变为(200),薄膜的取向与其微观结构一致.TiN_x薄膜的沉积速率随着激光功率升高而增大,在P_L=100W时,达到最大值90μm/h(沉积面积为300mm~2),显著高于采用其它方法制备的TiN_x薄膜.
关键词:
TiN_x薄膜
,
快速生长
,
取向
,
激光化学气相沉积(LCVD)
