兰建明
,
陈建中
,
郭飞云
,
高绍康
,
胡晓琳
,
庄乃锋
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.01.011
采用提拉法生长出光学质量优良的Yb3+:YVO4晶体,研究生长过程中工艺参数的控制.测得掺杂浓度为18.1%Yb3+:YVO4晶体中Yb3+离子的有效分凝系数Keff为0.96.测定了不同Yb3+离子掺杂浓度晶体的吸收光谱和荧光光谱,并分别计算了不同掺杂浓度下Yb3+:YVO4晶体的光谱参数.本文总结和解释了掺杂浓度影响其性能的规律,讨论了Yb3+:YVO4晶体作为激光晶体的优点.
关键词:
Yb3+:YVO4晶体
,
提拉法
,
掺杂浓度
,
分凝系数
,
光谱
,
荧光寿命
,
激光晶体
胡晓琳
,
陈建中
,
庄乃锋
,
兰建明
,
赵斌
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.04.007
本文采用动态循环观察法测量了RHSe晶体在水溶液中不同过饱和度下主要显露晶面的生长速率.结果表明,RHSe晶体主要显露晶面的生长机制是多二维成核生长机制,在饱和点为38.00℃的溶液中,RHSe晶体的{111}和{101}晶面的临界过饱和度分别为1.01%和1.16%.实验过程中还发现,当过饱和度大于1.76%时,晶体生长速率太快而出现宏观缺陷,因而在生长RHSe单晶时,过饱和度应控制在1.76%以下.
关键词:
电光晶体
,
生长动力学
,
硒酸氢铷
,
多二维成核生长
庄乃锋
,
陈建中
,
高绍康
,
胡晓琳
,
赵斌
,
兰建明
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.04.002
本文测定了硒酸氢铷(RHSe)在水中的溶解度～温度曲线,并采用溶液降温法,克服了RHSe晶体生长时易漂晶、爬晶等不利因素,生长出大尺寸硒酸氢铷(RHSe)单晶.对晶体生长条件、生长形态以及晶体的宏观缺陷作了初步的探讨.
关键词:
硒酸氢铷
,
电光晶体
,
溶液降温法
,
晶体生长
,
生长形态
