艾春鹏
,
赵晓锋
,
白忆楠
,
冯清茂
,
温殿忠
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.增刊(Ⅱ).015
研究射频磁控溅射法制备ZnO 薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)研究溅射功率、溅射时间和退火温度对薄膜微结构特性的影响,并分析ZnO 薄膜阻变特性.实验结果表明,沉积态薄膜择优取向为?002?晶向,随溅射功率和退火温度增加,择优取向显著增强,溅射功率120 W时薄膜生长速率可达4．8 nm/min,薄膜厚度92 nm的ZnO 薄膜具有阻变特性且开关比可达104.
关键词:
ZnO薄膜
,
射频磁控溅射
,
微结构
,
阻变特性
