任明放
,
冯湘
,
王华
,
许积文
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2010.02.006
采用直流磁控溅射工艺,室温下在载玻片上制备ZnO:Al透明导电薄膜.研究Al掺杂和溅射功率对薄膜生长取向、微观结构和电阻率的影响.研究表明:不同溅射功率下Al掺杂ZnO薄膜均为高度c-轴择优取向生长;在1%～3%(质量分数)的掺杂范围内,薄膜的电阻率随掺杂孱的增加而减小,掺杂的质量分数超过3%后,薄膜的电阻率又有所增大.溅射功率通过改变晶粒尺寸和晶界所产生的散射作用而影响薄膜的导电性能,溅射功率低于100 W时,薄膜的电阻率随功率增加而明显降低,但超过100 W后,薄膜的电阻率下降趋缓,并最终趋于平稳.在Al掺杂的质量分数为3%、溅射功率为100 W的条件下,可获得2.3×10~(-3) Ω·cm的最低电阻率.
关键词:
氧化锌铝
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透明导电薄膜
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导电性能
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磁控溅射
冯湘
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王华
人工晶体学报
采用溶胶-凝胶工艺制备了Bi4-xLaxTi3O12和Bi4Ti3-yNbyO12铁电薄膜,研究了La、Nb掺杂对薄膜介电性能和C-V特性的影响.研究表明,在x<0.75、y<0.06范围内,随La、Nb掺杂量的增加, Bi4-xLaxTi3O12和Bi4Ti3-yNbyO12薄膜的介电常数和C-V特性曲线回滞窗口增大,介电损耗和漏电流密度减小.x>0.5时,Bi4-xLaxTi3O12薄膜可获得大于1.8 V的C-V回滞窗口,且经1010极化开关后其回滞窗口的减小未超过6%;而Nb掺杂对增大Bi4Ti3-yNbyO12薄膜C-V回滞窗口的作用更加明显,但经1010极化开关后,其回滞窗口的减小较为明显,并出现一定平移.
关键词:
Bi4Ti3O12薄膜
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介电性能
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漏电流
,
C-V特性
