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MWECR CVD法高速沉积α-Si:H薄膜的红外光谱研究

宋雪梅 , 宋道颖 , 陈蔚忠 , 芦奇力 , 冯贞健 , 鲍旭红 , 邓金祥 , 陈光华

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.022

应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速度下沉积了α-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究了α-Si:H薄膜的结构特性随H2/SiH4、沉积温度和沉积速率变化关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量α-Si:H薄膜的最佳工艺条件.

关键词: MWECR CVD , α-Si:H薄膜 , IR分析 , 高斯函数拟合

射频溅射两步法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜

冯贞健 , 邢光建 , 陈光华 , 于春娜 , 荣延栋

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.003

用常规射频(RF)溅射系统,采用两步法在Si(111)衬底上制备出较高粘附性的立方氮化硼(c-BN)薄膜.沉积过程分为成核(第一步)和生长(第二步)两步,当由第一步变为第二步时,工作气体由Ar气变为Ar和N2的混合气体,衬底温度和偏压也降为较低的值.对不同生长阶段的薄膜进行了SEM、FTIR分析,对最后沉积的薄膜进行了XPS分析.结果表明:采用两步法在Si(111)衬底上沉积的c-BN薄膜内应力较之常规方法减小约11.3GPa,薄膜的B、N原子之比为1.01,c-BN的体积分数为88%,薄膜置于自然环境中6个月尚未有剥离现象.文中还讨论了c-BN薄膜的综合生长机制.

关键词: c-BN薄膜 , 粘附性 , 两步法

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