徐成
,
刘波
,
冯高明
,
吴良才
,
宋志棠
,
封松林
,
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.009
采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能.结果表明:Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变特性,其相变阚值电压和阈值电流分别为1.6V和25μA;实现了器件单元的非晶态(高阻)与晶态(低阻)之间的可逆...
关键词:
Sn掺杂
,
Ge2Sb2Te5
,
相变存储器
,
器件单元
,
存储性能
