李亚国
,
刘世荣
,
刘海林
,
张继东
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.05.030
通过力学性能试验、金相、扫描电镜及透射电镜等方法和手段对MB26(Mg-Zn-Z-RE)合金在不同热加工工艺条件下的样品进行了分析和研究.研究结果表明:MB26镁合金在挤压、淬火及淬火时效3种热加工工艺条件下,以挤压状态下所获得的力学性能为最佳,其σb值可达370 MPa以上.510℃/2 h的淬火工艺使挤压态下的力学性能大为下降.微观原因为:加热破坏了挤压态下均匀的板条组织及合金元素的均匀分布,并产生严重的过烧组织.170℃/10 h时效工艺可使淬火态下微观范围内的淬火空位得到填补,但不能改善较为宏观的孔洞的存在及组织疏松的状况,并产生再结晶等轴晶粒及晶界,因而也不能明显地改善其力学性能.MB26镁合金以挤压态为最佳使用状态.
关键词:
镁合金
,
稀土
,
热加工工艺
祝亚
,
黄伟其
,
刘世荣
,
祖恩东
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.03.020
我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜(HR-STEM)测量样品的纳米结构,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱(RBS)中的CHANNEL谱和RANDOM谱分别进行精细结构模拟,测量并计算出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布,并且反馈控制加工过程,优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件.我们测量出样品横断面锗纳米团簇和纳米层的PL发光谱.我们在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点组成的几个纳米厚的盖帽膜结构,我们首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧化温度匹配公式的理论模型与实验结果拟合得很好.
关键词:
纳米团簇
,
纳米层
,
硅锗合金
黄伟其
,
刘世荣
,
胡林
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.01.017
采用氧化和析出的方法在氧化硅中凝聚生成锗纳米晶体量子点结构.其形成的锗晶体团簇没有突出的棱角和支晶结构,锗晶体团簇的轮廓较圆混,故可以用球形量子点模型来模拟实际的锗晶体团簇.对比了在高温(800℃～1000℃)条件下和在低温(200℃～500℃)用激光照射条件下所生成的锗纳米晶体结构的PL光谱和对应的锗纳米晶体团簇的尺寸分布.低温用激光照射条件下所生成的锗纳米晶体较小,其PL光谱出现蓝移.用量子点受限模型计算了锗纳米晶体团簇的能隙结构,用Monte Carlo方法模拟了PL光谱和对应的锗纳米晶体团簇的尺寸分布,分别与实验结果吻合较好.
关键词:
光电子学
,
量子点
,
锗团簇
,
光致荧光谱
