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脉冲激光沉积方法生长硅基ZnO薄膜的特性

何建廷 , 庄惠照 , 薛成山 , 田德恒 , 吴玉新 , 刘亦安 , 胡丽君 , 薛守斌

功能材料

用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜.X射线衍射(XRD)在2θ=34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽为0.75°;傅里叶红外吸收(FTIR)在414.92cm-1附近出现了对应Zn-O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于370和460nm处的室温光致发光峰;扫描电子显微镜(SEM)和选区电子衍射(SAED)显示了薄膜的表面形貌以及晶格结构.利用PLD法制备了具有c轴取向高度一致的六方纤锌矿结构ZnO薄膜.

关键词: PLD , ZnO , 薄膜 , 六方纤锌矿结构

溶胶-凝胶法制备GaN颗粒

刘亦安 , 薛成山 , 庄惠照 , 张晓凯 , 田德恒 , 吴玉新 , 孙莉莉 , 艾玉杰 , 王福学

稀有金属材料与工程

以醇酸镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶-凝胶法和高温氨化法相结合,成功的合成了GaN粉末.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、光致发光谱(PL)对粉末的结构、形貌和发光特性进行了表征.结果表明:在950℃时,可以得到纯度较高的GaN粉末且采用该工艺合成的GaN粉末粒度较均匀,生成的GaN多晶絮状颗粒为六方纤锌矿结构,室温下光致发光谱的测试结果发现了较强的402 nm处的近带边发光峰和460 nm处的蓝色发光峰.

关键词: 溶胶-凝胶法 , 氨化 , GaN晶粒

溶胶-凝胶法制备GaN颗粒

刘亦安 , 薛成山 , 庄惠照 , 张晓凯 , 田德恒 , 吴玉新 , 孙莉莉 , 艾玉杰 , 王福学

稀有金属材料与工程

以醇酸镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶-凝胶法和高温氨化法相结合,成功的合成了GaN粉末.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、光致发光谱(PL)对粉末的结构、形貌和发光特性进行了表征.结果表明:在950℃时,可以得到纯度较高的GaN粉末且采用该工艺合成的GaN粉末粒度较均匀,生成的GaN多晶絮状颗粒为六方纤锌矿结构,室温下光致发光谱的测试结果发现了较强的402 nm处的近带边发光峰和460 nm处的蓝色发光峰.

关键词: 溶胶-凝胶法 , 氨化 , GaN晶粒

氨化磁控溅射Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米棒

吴玉新 , 薛成山 , 庄惠照 , 田德恒 , 刘亦安 , 孙莉莉 , 王福学 , 艾玉杰

稀有金属材料与工程

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒.用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析.结果表明:GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm~400 nm左右,长度可达几十微米.室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰.

关键词: 磁控溅射 , 氨化 , 氮化镓纳米棒 , 光致发光

氨化磁控溅射Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米棒

吴玉新 , 薛成山 , 庄惠照 , 田德恒 , 刘亦安 , 孙莉莉 , 王福学 , 艾玉杰

稀有金属材料与工程

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒.用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析.结果表明:GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm~400 nm左右,长度可达几十微米.室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰.

关键词: 磁控溅射 , 氨化 , 氮化镓纳米棒 , 光致发光

电泳沉积法制备GaN薄膜的结构和组分分析

吴玉新 , 薛成山 , 庄惠照 , 田德恒 , 刘亦安 , 何建廷

功能材料

采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备出了GaN薄膜.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收(FTIR)谱、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)对样品的结构、组分和形貌进行了分析.结果显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜.

关键词: 氮化镓薄膜 , Si衬底 , 电泳沉积 , 六方纤锌矿结构

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