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检索条件:作者=刘京明  

  • 论文(3)

4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究

赵有文 , 段满龙 , 卢伟 , 杨俊 , 董志远 , 刘刚 , 高永亮 , 杨凤云 , 王风华 , 王俊 , 刘京明 , 谢辉 , 王应利 , 卢超

人工晶体学报

采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)InP单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm-2.对4 inch InP晶片上进行多点X-射线双晶衍射测试, 其(004)X-射线双晶衍射峰的半峰宽约为30弧秒且分布均匀.与液封直拉法(LEC)相比, ...

关键词: 磷化铟(InP) , 垂直温度梯度凝固(VGF) , 孪晶 , 组份过冷

低位错密度4 inch GaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备

杨俊 , 段满龙 , 卢伟 , 刘刚 , 高永亮 , 董志远 , 王俊 , 杨凤云 , 王凤华 , 刘京明 , 谢辉 , 王应利 , 卢超 , 赵有文

人工晶体学报

采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备.通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te 整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg, 成晶率可达80%以上.4 inch(100)晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm-2,其(004)双晶衍射...

关键词: 锑化镓(GaSb) , 液封直拉法(LEC) , 单晶 , 衬底

AlN原料的钨网炉高温提纯

刘京明 , 刘彤 , 杨俊 , 陶东言 , 段满龙 , 董志远 , 赵有文 , 李百泉

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.026

商品氮化铝粉料中含有高浓度的氧、碳及金属杂质,需经过高温提纯处理后才能用于物理气相法氮化铝晶体生长.与感应加热相比,钨网电阻加热可有效避免碳、氧等的二次沾污,势必具有良好的提纯效果.本文采用钨网炉对AlN原料进行高温烧结提纯处理,通过X射线能谱仪(EDS)、气体分析技术(IGA)和辉光放电质谱仪(G...

关键词: 氮化铝 , 钨网炉 , 杂质 , 提纯