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高性能a-Si:H TFT开关器件的研制

袁剑峰 , 杨柏梁 , 朱永福 , 李牧菊 , 刘传珍 , 吴渊 , 廖燕平 , 王刚 , 邵喜斌 , 刘宏武 , 黄锡珉

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.03.005

介绍了a-Si:H TFT开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作.研制了a-Si∶H TFT单管器件,其开关电流比达到6个数量级,为最终研制a-Si∶H TFT AMLCD视频图像显示器奠定了坚实的基础.

关键词: a-Si , HTFT开关器件 , 有源层 , 栅绝缘层 , 界面特性

金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究

刘传珍 , 杨柏梁 , 张玉 , 李牧菊 , 吴渊 , 廖燕平 , 王大海 , 邱法斌 , 李轶华 , 黄锡珉

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.04.002

利用金属诱导晶化（Metal Induced Crystallization， MIC）的方法研究了a-Si/Ni的低温晶化， MIC的晶化温度降低到440℃。采用XRD、 Raman、 SEM和XPS等手段研究了Ni-MIC多晶硅薄膜的特性，分析了薄膜结构和组成，讨论了晶化过程的机理。

关键词: 金属诱导晶化 , 多晶硅薄膜 , 退火

硅基TFT有源矩阵液晶显示技术

刘传珍 , 杨柏梁 , 朱永福 , 李牧菊 , 袁剑峰 , 王刚 , 吴渊 , 刘洪武 , 黄锡珉

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.02.010

介绍了薄膜晶体管(TFT),特别是p-Si(多晶硅)TFT矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性, 对器件参数的选择进行了分析.

关键词: 多晶硅 , 薄膜晶体管 , 有源矩阵液晶显示

淀积条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响

朱永福 , 李牧菊 , 杨柏梁 , 刘传珍 , 廖燕平 , 袁剑锋 , 刘雅言 , 申德振

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.04.008

利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积(PECVD)方法淀积的a-SiNx:H薄膜.分析了气体流量比(R)、衬底温度(Ts)以及射频功率(Prf)的变化对a-SiNx:H薄膜中SiH、 NH和NH2基团的吸收峰强度的影响, 同时研究了退火条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响.

关键词: 等离子体化学气相沉积 , 非晶氮化硅薄膜 , 红外光谱

激光退火法低温制备多晶硅薄膜的研究

刘传珍 , 杨柏梁 , 李牧菊 , 吴渊 , 张玉 , 李轶华 , 邱法斌 , 黄锡珉

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.01.008

利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜,采用xRD、sEM等分析手段,进行了表征分析.对晶化的罔值能量密度进行了计算.并对激光退火的机理进行了探讨.研究结果表明:a-Si晶化的阈值能量密度与薄膜的厚度无关,在晶化区内,晶粒尺寸的大小随着照射到薄膜表面的激光能量密度的增加而增加.

关键词: p-si薄膜 , 激光退火 , 能量密度

TFT AMLCD像素矩阵电路中栅延迟的模拟研究

李牧菊 , 杨柏梁 , 朱永福 , 刘传珍 , 袁剑峰 , 吴渊 , 廖燕平

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.02.007

建立了a-Si TFT AMLCD的等效电路模型, 综合考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及TFT导电沟道电容构成的RC(Resistivity Capacitance)常数,模拟计算了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及栅信号电极材料的依赖关系,为实现器件优化设计提供参考.

关键词: 栅电极电阻 , 交叠电容 , 沟道电容 , 信号延迟 , RC常数

周边集成AMLCD的信号失真和缓冲寄存器TFT尺寸计算

刘传珍 , 杨柏梁 , 李牧菊 , 朱永福 , 袁剑峰 , 寥燕平 , 吴渊 ,

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.03.006

建立了有源矩阵液晶显示器中周边驱动缓冲寄存器的等效电路模型.利用TFT的线性近似和Elmore模型,计算了周边驱动电路中的信号失真,讨论了栅延迟与金属栅电极材料的关系及对TFT开态电阻的要求.

关键词: 薄膜晶体管 , 有源矩阵液晶显示 , 延迟

氢化非晶硅的红外光谱及氢释放的研究

李牧菊 , 杨柏梁 , 朱永福 , 袁剑峰 , 刘传珍 , 廖燕平 , 吴渊

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.03.007

用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)并进行了退火实验,利用红外吸收光谱(IR)和金相显微镜研究薄膜中的氢含量及退火前后的脱氢现象,得出材料组成及热稳定性对衬底温度Ts和射频功率Prf的依赖关系.

关键词: 非晶硅 , 化学气相淀积 , 红外光谱 , 金相显微

表面活性剂掺杂的聚芴类蓝光器件

粟立军 , 杨伟 , 杨晓辉 , 刘传珍 , 张赤 , 甄红宇 , 曹镛

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.03.005

用PVK作空穴传输/电子阻挡层,提高了ITO/PEDOT/PVK/PDOF/Ba/Al器件的发光效率,但器件的启亮电压也增加.同PDOF单层器件相比,相同驱动电压下双层器件的电流明显减小而器件的发光效率却提高.在芴均聚物(PDOF)和芴共聚物(PF10T)中掺杂Li-NPTEOS表面活性剂可以提高器件的EL效率,有效地抑制EL光谱红移现象.掺杂浓度在10 %～20 %(质量分数),PVK作为电子阻挡层的蓝光器件的EL效率可达1 %.掺杂引起的PFO能级的改变降低了空穴注入的势垒高度,使电子和空穴注入趋于平衡以及在电场作用下Li-NPTEOS的偶极取向作用可能是提高量子效率、降低启亮电压和工作电压的根本原因.

关键词: 蓝光器件 , 聚芴 , 表面活性剂 , 掺杂