刘先才
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胡关钦
,
冯锡淇
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张明荣
,
徐力
,
殷之文
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.03.010
研究了Bridgman法生长的Sb掺杂钨酸铅(PWO)晶体中Sb的分布和闪烁特性.晶体中Sb含量的测定表明,Sb在PWO晶体中的分凝系数约为0.63.由于Sb掺杂可以补偿PWO晶体的组分缺失而降低其中空位和一些色心的浓度,与未掺杂晶体相比较,Sb掺杂晶体具有更好的光学透过率和更高的发光强度.而且,在富氧气氛下退火后,Sb掺杂晶体的发光谱特征变化较小,仍能保持较高的快慢分量比.
关键词:
Sb掺杂钨酸铅晶体
,
分凝系数
,
透过率
,
发光强度
,
闪烁晶体
陈之战
,
肖兵
,
施尔畏
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庄击勇
,
刘先才
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.007
报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出ф45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道密度约为103cm-2,位错密度约为104～105cm-2.测试了SiC单晶的半导体特性,结果表明:晶体为n型,电阻率约300Ω.cm,迁移率90cm2V-1S-1,载流子浓度在1014cm-3量级.
关键词:
碳化硅单晶
,
晶体生长
,
PVT法
,
微管道
