刘文婷
,
刘正堂
,
闫锋
,
田浩
,
刘其军
硅酸盐通报
采用射频磁控溅射法在无氧和有氧气氛下制备了HfO2薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、椭圆偏振光谱(SE)以及电容-电压(C-V)测试对薄膜的结构、成分、HfO2/Si界面和HfO2栅介质MOS结构的电学性能...
关键词:
射频磁控溅射
,
HfO2薄膜
,
界面层
,
电学性能
樊淼海
,
刘正堂
,
冯丽萍
,
刘其军
稀有金属材料与工程
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法研究了正交相SrHfO3和以Si替换Hf方式形成的掺杂态SrHfO3的形成能,几何结构,电子结构和光学性质.负的形成能表明在由单元素形成Si掺杂态的SrHfO3的反应中,Si占居Hf位置与Sr位置两种情况在能量上是有利的,并且Si原子更加倾向于占居Hf位置.纯...
关键词:
第一性原理
,
电子结构
,
光学性质
,
Si掺杂正交相SrHfO3
刘璐
,
刘正堂
,
冯丽萍
,
田浩
,
刘其军
,
王雪梅
稀有金属材料与工程
采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备新型栅介质SrHfON薄膜.采用X射线衍射(XRD)仪、高分辨透射电镜(HRTEM)和X射线光电子谱(XPS)分析退火对SrHfON薄膜的界面形态、薄膜的结构和电学性能的影响.结果表明,SrHfON薄膜经900℃退火后仍保持非晶态,表现出良好的热稳定性.SrHfON...
关键词:
栅介质
,
SrHfON薄膜
,
射频磁控溅射
闫锋
,
刘正堂
,
刘文婷
,
刘其军
材料导报
采用射频磁控溅射法以Y2O3陶瓷为靶材在单晶si(Ⅲ)和石英表面制备了Y2O3薄膜.利用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见(UV-VIS)光谱仪和傅立叶变换红外(FTIR)光谱仪对真空退火前后Y2O3薄膜的结构和光学性质进行了分析研究.结构研究表明,在200℃条件下制备的Y...
关键词:
Y2O3薄膜
,
晶体结构
,
退火处理
,
透过率
,
光学带隙
刘其军
,
刘正堂
,
闫锋
电镀与涂饰
为了提高金刚石的红外透过率,根据光干涉膜基础理论对薄膜增透进行了设计,获得了增透膜系的相关参数,并采用非规整设计中的彻底搜索法对所设计的膜系进行了增透效果分析.结果表明,在金刚石衬底上单面和双面镀Y_2O_3膜系后,透过率有明显提高.Y_2O_3膜系是性能优异的金刚石红外光学材料增透膜.
关键词:
金刚石
,
氧化钇
,
薄膜
,
射频磁控反应溅射
,
增透
,
红外透过率
,
设计
