程基宽
,
高积强
,
刘军林
,
蒋仙
,
杨建峰
,
乔冠军
稀有金属材料与工程
研究了用物理气相传输(PVT)法制备SiC单晶的过程中附加碳源对晶体生长速度及缺陷的影响,并将活性炭与SiC粉末一起加入到石墨坩埚中进行晶体生长.用XRD分别测定了晶体生长前后坩埚与活性炭的石墨化度,并用光学显微镜观察了晶体中的缺陷.结果表明,随晶体生长过程的进行石墨坩埚的活性降低,直接导致晶体生长速度减慢,并使籽晶表面Si液相形成的可能性增大,与Si液相相关的缺陷增多.活性炭的加入给生长过程提供了充足的碳源,提高了晶体的生长速度,并抑制了籽晶表面Si液相的形成,从而降低了与Si液相相关缺陷出现的几率.
关键词:
缺陷
,
PVT
,
SiC晶体
,
附加碳源
程基宽
,
高积强
,
刘军林
,
蒋仙
,
杨建峰
,
乔冠军
稀有金属材料与工程
用PVT法制备了6H-SiC.用光学显微镜观察了晶体生长面的原生形貌.讨论了6H-SiC中蜷线的形状及其形成机理.蜷线起源于螺旋位错,它们的形状则决定于这些位错的符号与相对位置.在(0001)Si面上,蜷线表现为圆形螺旋,而在(0001)C面上则表现为六角形螺旋.通常情况下,蜷线的极点没有任何包裹物.然而在某些情况下,蜷线的极点会出现包裹物,如夹杂、微管、孔洞或者负晶等.当(0001)Si面作为生长面时,6H-SiC单晶的生长机制符合螺旋位错模型(BCF理论模型).
关键词:
蜷线
,
碳化硅
,
位错
,
生长机制
刘军林
,
高积强
,
程基宽
,
杨建峰
,
乔冠军
稀有金属材料与工程
研究了用改进Lely法制备SiC单晶的过程中坩埚石墨化度对物质传输和晶体生长速度的影响.在不同温度下进行石墨化处理得到了实验所用的坩埚.用XRD方法定量测定了晶体生长前坩埚的石墨化度,并用SEM分析了晶体生长后坩埚内壁的反应情况.实验结果表明,石墨坩埚在SiC晶体生长过程中是一个非常重要的碳源提供者;当坩埚的石墨化程度较低时,晶体的生长速度快,生长速度由生长温度所控制;随着坩埚石墨化程度的提高,晶体生长速度减慢并由坩埚石墨化度所控制;当石墨化度进一步提高的时候,籽晶被碳化,晶体不能正常生长.
关键词:
物质传输
,
石墨化度
,
单晶生长
,
SiC
赵永庆
,
刘军林
,
周廉
稀有金属材料与工程
通过对Ti-2.5Cu,Ti-3Fe,Ti-3Cr,Ti-13Cu-1Al,Ti-6Al-1.7Fe几种合金铸锭成分的对比研究,建立了典型β钛合金元素的偏析模式.对Ti-2.5Cu,Ti-3Fe,Ti-3Cr合金铸锭的对比可知,Cu和Fe元素的偏析程度大,Cr元素的偏析程度小;对Ti-2.5Cu和Ti-13Cu-1Al合金铸锭的对比可知,Cu元素在2种合金铸锭中的偏析均比较明显,Cu含量越高,偏析程度越大;Cu元素在2种合金铸锭的晶界有截然不同的偏析方式,Cu元素在Ti-13Cu-1Al的晶界富集而在Ti-2.5Cu的晶界贫化.对Ti-3Fe和Ti-6Al-1.7Fe合金铸锭的对比可知,Fe元素在2种合金铸锭中的偏析均比较明显,Fe含量越高,偏析程度越严重;Fe元素在2种合金铸锭的晶界均贫化.
关键词:
钛合金
,
合金元素
,
偏析
刘军林
,
赵永庆
,
周廉
稀有金属材料与工程
通过对Ti-2.5Cu,Ti-3Fe,Ti-3Cr钛合金进行微区成分和宏观成分的对比研究,得出了3种合金铸锭中合金元素宏观和微观偏析规律.在等轴晶内,3种元素含量均沿晶粒生长方向增加,其中Cu,Fe元素偏析明显,Cr元素偏析程度小;柱状晶内,Cu,Fe,Cr的含量均沿晶粒生长方向增加,但偏析均不明显;晶界处的平均Cu,Fe含量明显低于晶内,而Cr含量则远远高于晶内,Cr在晶界偏析明显.宏观方面,3种元素均向铸锭的顶部和中心富集,其中Cu和Fe的偏析程度较大而Cr的偏析程度小,径向的偏析程度比轴向严重.
关键词:
Ti-2.5Cu
,
Ti-3Fe
,
Ti-3Cr
,
微区分析
,
偏析
