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检索条件:作者=刘凤艳  

  • 论文(3)

Ti-50.8%Ni合金的类金属电磁特性

侯碧辉 , 刘凤艳 , 刘国庆 , 徐劳立 , 韩晓东 , 毛圣成

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.06.010

研究TiNi合金的宏观电磁性质与微观电子态的关系. 由TiNi合金样品的霍尔效应实验得出样品的霍尔系数为9.6×10-6 Ωm·T~(0.1). 由霍尔系数求得电子浓度n为6.5×10~(23)/m~3, 比金属电子浓度n的值小5个量级, 电学性质比金属弱得多. 而磁性测量得出TiNi合金中有很少的...

关键词: TiNi合金 , 电磁性能 , 表观顺磁性

离子轰击增强金刚石膜与Si衬底结合力的进一步研究

徐幸梓 , 刘天模 , 曾丁丁 , 张兵 , 刘凤艳

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.045

由于金刚石与Si有较大的表面能差,利用化学气相沉积(CVD)制备金刚石膜时,金刚石在镜面光滑的Si表面上成核困难,而负衬底偏压能够增强金刚石在镜面光滑Si表面上的成核,表明金刚石核与Si表面的结合力也得到增强.本文分析衬底负偏压引起的离子轰击对Si表面产生的影响之后,基于离子轰击使得Si衬底表面产生...

关键词: 金刚石膜 , 离子轰击 , 凹坑 , 结合力

负偏压增强金刚石膜与衬底结合强度的理论研究

刘凤艳 , 刘宇星 , 刘敏蔷 , 侯碧辉

功能材料

由于金刚石与Si有较大的晶格失配度和表面能差,利用化学气相沉积(CVD)制备金刚石膜时,金刚石在镜面光滑的Si表面上成核率非常低.而负衬底偏压能够提高金刚石在镜面光滑的Si表面上的成核率,表明金刚石核与Si表面的结合力也得到增强.利用负偏压增强CVD系统制备金刚石膜时,气体辉光放电产生的离子对Si表...

关键词: 金刚石膜 , 硅衬底 , 结合力