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磁控溅射法制备IrMn顶钉扎自旋阀研究

刘华瑞 , 任天令 , 曲炳郡 , 刘理天 , 库万军 , 李伟 , 杨芝茵

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.009

通过高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃和硅上淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜.通过结构的改善和工艺条件的优化,自旋阀的磁电阻率达到9.12%,矫顽力为1.04×(103/4π)A/m.研究了Ta缓冲层厚度(小于6nm)对晶格结构和自旋阀性能...

关键词: 自旋阀 , 巨磁电阻 , 矫顽力

RIE对巨磁电阻自旋阀磁性能的影响

曲炳郡 , 任天令 , 刘华瑞 , 刘理天 , 李志坚 , 库万军

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.014

对巨磁电阻自旋阀磁场传感器制作中的关键技术之一:自旋阀薄膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺,进行了试验研究.自旋阀结构为:Ta(3.5nm)/Cu(0.7nm)/NiFe(4.5nm)/CoFe(1nm)/Cu(3nm)/CoFe(2nm)/Ru(0.7nm)/CoFe(2nm)/MnIr(8nm)/T...

关键词: 巨磁电阻 , RIE , 自旋阀

磁控溅射法制备IrMn底钉扎自旋阀研究

欧阳可青 , 任天令 , 刘华瑞 , 曲炳郡 , 刘理天 , 李伟

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.004

采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/buffer layer/IrMn/CoFe/Cu/CoFe/NiFe/Ta的IrMn底钉扎自旋阀.研究了NiFe和Cu作为缓冲层对自旋阀磁性能的影响,并对缓冲层厚度进行了参数优化,当缓冲层厚度为2nm时自旋阀各项性能达到最佳.研究了退火制...

关键词: 自旋阀 , 底钉扎 , 巨磁电阻 , 退火效应

IrMn顶钉扎自旋阀中Ta缓冲层的优化研究

刘华瑞 , 任天令 , 曲炳郡 , 刘理天 , 库万军 , 李伟

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2003.06.005

通过直流磁控溅射法在硅/二氧化硅基底上沉积了Ta膜,Ta/NiFe双层膜和IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,研究了Ta、Ta/NiFe膜的晶格结构和表面情况,及自旋阀的磁性能,结果表明,自旋阀的磁电阻率、矫顽力和交换场等性能与Ta缓冲层厚度有密切的关系,在Ta缓冲层为3nm时自旋阀的磁电阻率(9.24%)和...

关键词: 巨磁电阻 , 自旋阀 , Ta缓冲层

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