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  • 论文(9)

岐管式微通道冷却热沉的三维数值优化

夏国栋 , 刘青 , 王敏 , 马晓雁 , 刘启明 , 马重芳

工程热物理学报

微尺度传热是近几年来发展起来的一种重要传热技术,广泛应用于高集成度的电子器件的冷却.大功率半导体激光器的热沉积是限制其性能发挥和功率进一步提高的瓶颈.本文研究的热沉用于冷却一种以半导体激光条阵列为泵浦的大功率激光器,其10 mm×1 mm半导体激光条表面的热流密度高达400 W/cm2.本文对以无氧...

关键词: 岐管式微通道热沉 , 二极管激光条 , 热阻

半导体微晶掺杂玻璃的制备方法及其二阶非线性光学性能探讨

周学东 , 刘浩 , 刘启明 , 赵修建

材料导报

在外部电场诱导下,半导体微晶掺杂玻璃具有与玻璃和晶体所不同的优良的光学性能.概述了几种半导体微晶掺杂玻璃的制备方法,分析了其掺杂机理,并由此讨论了采用这些方法制备的半导体微晶掺杂玻璃的二阶非线性光学性能.

关键词: 半导体微晶掺杂玻璃 , 制备方法 , 二阶非线性光学性能

高效微射流阵列冷却热沉的阻力特性

马晓雁 , 夏国栋 , 刘青 , 刘启明 , 马重芳

工程热物理学报

微射流阵列冷却热沉是利用射流冲击在驻点区能产生很薄的边界层来提高换热效率,合理的布置射流孔,可以极大的提高被冷却表面温度分布的均匀性.本次研究设计的热沉是5层结构的模块式铜微射流阵列冷却热沉(微射流孔直径d=0.15 mm),以氮气和去离子水为工质对阻力特性进行了实验研究,并与微射流阵列冷却热沉的理...

关键词: 热沉 , 射流 , 压降

镁合金微弧氧化电解液中纳米SiC添加量对膜组织结构和摩擦磨损性能的影响

刘启明 , 王淑艳 , 刘莉 , 李涛 , 杜沣

材料保护

为了改善镁合金微弧氧化膜的性能,在Na2SiO3-NaAlO2复合电解液中添加不同含量的纳米SiC对AM50镁合金进行微弧氧化.利用膜层测厚仪、共聚焦激光显微镜(CLSM)、扫描电镜(SEM)、能谱仪分别研究膜的厚度、表面粗糙度、微观形貌和元素分布,采用摩擦磨损试验机对镁合金微弧氧化前后的干滑动磨损...

关键词: 微弧氧化 , Na2SiO3-NaAlO2复合电解液 , 纳米SiC , AM50镁合金 , 摩擦磨损

歧管式微通道流动特性的研究

刘启明 , 夏国栋 , 刘青 , 马晓雁 , 马重芳

工程热物理学报

岐管式微通道(MMC)热沉具有热阻小、结构紧凑、冷却液流量小、流速低、沿流动方向温度分布均匀等优点.本文针对以去离子水为介质的岐管式微通道(宽W=100 μm,深H=300 μm)的流动特性进行了实验研究,实验的雷诺数范围为5O~3500.结果表明工质在微通道内流态由层流向紊流转变的临界雷诺数提前,...

关键词: 岐管式微通道 , 压降摩阻系数 , 实验关联式

硫系Ge-As-S玻璃和薄膜的特性

刘启明 , 赵修建 , 顾玉宗 , 黄明举 , 顾冬红 , 干福熹

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2002.02.010

用差热分析、X射线衍射分析和透射光谱分析等于段研究了硫系Ge-As-S玻璃和薄膜的性能结果表明.Ge As-S体系的成玻能力较强.在空气中自然冷却就能成玻.其(Tg-Tc)/Tg值为0.127~0.289.经激光辐照后的Ge-As-S玻璃薄膜的透射光谱曲线向短波方向移动.且平移的大小随激光功率的增加...

关键词: Ge As-S 体系 块体玻璃与PLD薄膜

正渗透浓缩茶料液中茶多酚研究

徐龙生 , 刘启明 , 张凯松

膜科学与技术 doi:10.16159/j.cnki.issn1007-8924.2015.03.015

采用NaCl溶液作为驱动液,考察了不同的驱动液浓度、不同的膜材料对茶料液中茶多酚的浓缩效果,研究了正渗透过程中膜渗透性能(通量)、膜污染状况、膜清洗效果以及浓缩液中茶多酚的保留率.结果表明:正渗透浓缩茶多酚,以NaCl溶液为驱动液,可以获得较为稳定的通量,采用正渗透浓缩荼多酚具有一定的可行性;以PA...

关键词: 正渗透 , 驱动液 , 浓缩 , 茶多酚 , 膜污染 , 膜清洗

激光作用下GeS2非晶半导体薄膜的性能及结构变化

刘启明 , 干福熹 , 顾冬红

无机材料学报

采用514.5石nm波长的氩离子激光器,结合X射线衍射分析(XRD)、红外光谱分析(IR)、扫描电镜分析(SEM)和透射光谱分析,研究了GeS2非晶半导体薄膜在激光辐照后的性能及结构变化.实验结果发现,经热处理和激光辐照后,薄膜的光学吸收边均移向短波长处,并且随着辐照激光强度和...

关键词: GeS2非晶半导体薄膜 , ar ion laser illumination , photoinduced change

激光作用下Ges2非晶半导体薄膜的性能及结构变化

刘启明 , 干福熹 , 顾冬红

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.027

采用514.5nm波长的氩离子激光器,结合X射线衍射分析(XRD)、红外光谱分析(IR)、扫描电镜分析(SEM)和透射光谱分析,研究了GeS2非晶半导体薄膜在激光辐照后的性能及结构变化.实验结果发现,经热处理和激光辐照后,薄膜的光学吸收边均移向短波长处,并且随着辐照激光强度和辐照时间的增加而增加,这...

关键词: GeS2非晶半导体薄膜 , 氩离子激光辐照 , 光致变化

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