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低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱应力弛豫作用的影响

刘子超 , 章海霞 , 甄慧慧 , 李明山 , 尚林 , 许并社

人工晶体学报

利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)及原子力显微镜(AFM)研究了低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱应力弛豫作用的影响.结果表明,低温AlN插入层不同的生长温度会导致AlGaN/GaN量子阱不同的表面粗糙度及穿透位错密度,并且当生长温度达到640℃时样品中表面粗糙度及穿透位错密度达...

关键词: AlN插入层 , 生长温度 , AlGaN/GaN量子阱 , 应变弛豫