钱家骏
,
叶小玲
,
徐波
,
韩勤
,
陈涌海
,
丁鼎
,
梁基本
,
刘峰奇
,
张金福
,
张秀兰
,
王占国
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.027
介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究.器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器.室温阈值电流密度为221A/cm2,激射波长为1.08μm,连续波工作最大光功率输出为2.74W(双面),外微分效率为88%,经50oC,1000h老化,仍有>1.2W的光功率输出.
关键词:
InAs/GaAs应变自组装量子点材料
,
量子点激光器
,
电致发光谱(EL)
,
MBE外延生长
肖虎
,
孟宪权
,
朱振华
,
金鹏
,
刘峰奇
,
王占国
人工晶体学报
利用离子注入法在一块Si(001)衬底上注入了In+和As+,注入能量分别为210 keV,150 keV,注入剂量6.2×1016cm-2,8.6×1016 cm-2,另一块Si(001)衬底上注入Ga+和Sb+,注入能量分别为140 keV,220 keV,注入剂量分别为8.2×1016 cm-2,6.2×1016 cm-2,然后对样品分别经过一次退火和二次退火处理制备出了Si基量子点材料.用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像,用PL探测量子点的光致发光谱,发现经二次退火生长的量子点微晶格结构和Si衬底损伤的修复均明显优于一次退火.
关键词:
二次退火
,
量子点
,
离子注入
刘广政
,
徐波
,
叶晓玲
,
刘峰奇
,
王占国
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160120
为了提高在硅基上外延砷化镓薄膜的质量和实验的可重复性,我们提出了一种叫做四步生长法的新方法,该方法是通过在低温成核层和高温外延层中间先后插入低温缓冲层和高温缓冲层实现的.通过此方法,可以制备出表面具有单畴结构、在强白光下依然光亮如镜、粗糙度低且缺陷少的高质量砷化镓薄膜,而且此方法的重复性很好.即便没有任何生长后的退火处理,外延出的1 μm厚砷化镓薄膜在5 μm×5μm扫描区域内的表面粗糙度只有2.1 nm,且由X射线双晶衍射测试出的砷化镓(004)峰的半高宽只有210.6 arcsec.
关键词:
硅基砷化镓
,
四步生长法
,
缓冲层
,
分子束外延
