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四步法制备高质量硅基砷化镓薄膜

刘广政 , 徐波 , 叶晓玲 , 刘峰奇 , 王占国

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160120

为了提高在硅基上外延砷化镓薄膜的质量和实验的可重复性,我们提出了一种叫做四步生长法的新方法,该方法是通过在低温成核层和高温外延层中间先后插入低温缓冲层和高温缓冲层实现的.通过此方法,可以制备出表面具有单畴结构、在强白光下依然光亮如镜、粗糙度低且缺陷少的高质量砷化镓薄膜,而且此方法的重复性很好.即便没...

关键词: 硅基砷化镓 , 四步生长法 , 缓冲层 , 分子束外延